[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

背景技术

专利文献1(日本特开2011-101036号公报)公开的半导体装置具备半导体基板和形成于半导体基板之上的绝缘膜。半导体基板具备第一部分和厚度比第一部分薄的第二部分，第一部分与第二部分相邻。第二部分的上表面位于比第一部分的上表面靠下方处。绝缘膜从第一部分延伸到第二部分。

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1的半导体装置中，出现了由于热应力而在绝缘膜产生孔洞或裂缝的情况。例如，出现了如下情况：在半导体装置中流动着电流时半导体基板发热，半导体基板之上的绝缘膜的温度变高，由于绝缘膜成为高温而产生孔洞。另外，不仅是在半导体装置的工作期间，在半导体基板之上形成绝缘膜时，也出现了在绝缘膜的内部产生应力而产生裂缝的情况。尤其是，在厚度不同的第一部分与第二部分相邻的部分，与周围的部分相比，容易在半导体基板之上的绝缘膜产生孔洞或裂缝。因此，存在由于孔洞或裂缝而导致绝缘膜的耐压降低这一问题。因此，本说明书提供能够抑制绝缘膜的耐压降低的技术。

用于解决课题的方案

本说明书公开的半导体装置具备形成有半导体元件的半导体基板和形成于半导体基板之上的绝缘膜。半导体基板具备第一部分和厚度比第一部分薄的第二部分。第二部分的上表面位于比第一部分的上表面靠下方处。在位于第一部分与第二部分相邻的位置的第二部分的上表面形成有在所述半导体基板的厚度方向上延伸的凹部。绝缘膜从第一部分延伸到第二部分，并填充凹部。位于第一部分与第二部分相邻的位置的第二部分是指第二部分中与第一部分相邻的范围。

根据这样的结构，在第一部分与第二部分相邻的位置，绝缘膜填充凹部，所以绝缘膜的位移、变形受到该凹部的约束。因此，即使绝缘膜成为高温，绝缘膜也不会扩张，所以能够抑制在绝缘膜产生孔洞或裂缝。例如，即使由于通电而导致半导体基板发热从而位于第一部分与第二部分相邻的位置的绝缘膜成为高温，也能够抑制在该部分的绝缘膜产生孔洞。另外，即使是在制造工序中对绝缘膜施加了内部应力的情况下，也能够抑制在位于第一部分与第二部分相邻的位置的绝缘膜产生裂缝。因而，根据本结构，能够抑制绝缘膜的耐压降低。

在本说明书公开的制造方法中，制造利用半导体基板的半导体装置，该半导体基本具备第一部分和厚度比第一部分薄的第二部分，第二部分的上表面位于比第一部分的上表面靠下方处。该制造方法包括：在位于第一部分与第二部分相邻的位置的第二部分的上表面形成在半导体基板的厚度方向上延伸的凹部的工序；和在半导体基板之上形成从第一部分延伸到第二部分并填充凹部的绝缘膜的工序。

附图说明

图1是半导体装置的俯视图。

图2是图1的II-II剖视图。

图3是图2的主要部分III的放大图。

图4是说明半导体装置的制造方法的步骤(1)的图。

图5是说明半导体装置的制造方法的步骤(2)的图。

图6是说明半导体装置的制造方法的步骤(3)的图。

图7是说明半导体装置的制造方法的步骤(4)的图。

图8是说明半导体装置的制造方法的步骤5)的图。