[发明专利]利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除有效
申请号: | 201580055982.7 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN107078091B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 达米安·兰贝特;约翰·施潘;斯蒂芬·克拉苏利克 | 申请(专利权)人: | 斯考皮欧技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/762 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何冲;黄隶凡 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 具有柔顺树脂的转移基底用于将一个或更多个芯片接合至目标晶片。在转移基底中形成有注入区。转移基底的一部分被蚀刻以形成耸立部。柔顺材料被施加至转移基底。芯片固定至柔顺材料,其中芯片固定至耸立部上方的柔顺材料。芯片在芯片被固定至柔顺材料的情况下被接合至目标晶片。从芯片去除转移基底和柔顺材料。转移基底对UV光是不透明的。 | ||
搜索关键词: | 利用 柔顺 树脂 半导体 接合 以及 使用 注入 用于 转移 晶片 去除 | ||
【主权项】:
一种使用柔顺树脂将芯片接合至半导体的方法,所述方法包括:在转移基底中形成注入区,其中所述注入区形成在所述转移基底中的第一深度处;蚀刻所述转移基底的一部分以形成耸立部,其中:所述转移基底的经蚀刻的所述一部分被蚀刻至第二深度;相对于所述转移基底的表面,所述第二深度大于所述第一深度;以及所述耸立部的部分未被蚀刻至所述第二深度,使得所述耸立部包括所述注入区的一部分;将柔顺材料施加至所述转移基底;将芯片固定至所述柔顺材料,其中所述芯片被固定至所述耸立部上方的所述柔顺材料;去除所述柔顺材料的过量部分,其中:所述柔顺材料的所述过量部分包括不在所述耸立部与所述芯片之间的材料;去除所述柔顺材料的所述过量部分留下所述柔顺材料的柱;以及所述柔顺材料的所述柱在所述耸立部与所述芯片之间;将所述芯片接合至目标晶片,其中在所述芯片被固定至所述柔顺材料的所述柱时执行将所述芯片接合至所述目标晶片;使所述转移基底在所述注入区处断裂,使得所述耸立部的剩余部分能够与所述转移基底分离;将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除,其中所述耸立部的所述剩余部分连接至所述柔顺材料的所述柱;将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺材料的所述柱去除,其中在将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除之后,将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺材料的所述柱去除;以及将所述柔顺材料的所述柱从所述芯片去除,其中在将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺材料的所述柱去除之后,执行将所述柔顺材料的所述柱从所述芯片去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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