[发明专利]利用柔顺树脂的半导体接合以及使用氢注入用于转移晶片去除

权利要求书

1.一种使用柔顺树脂将芯片接合至半导体的方法，所述方法包括：

在转移基底中形成注入区，其中所述注入区形成在所述转移基底中的第一深度处；

蚀刻所述转移基底的一部分以形成耸立部，其中：

所述转移基底的经蚀刻的所述一部分被蚀刻至第二深度；

相对于所述转移基底的表面，所述第二深度大于所述第一深度；以及

所述耸立部的部分未被蚀刻至所述第二深度，使得所述耸立部包括所述注入区的一部分；

将所述柔顺树脂施加至所述转移基底；

将芯片固定至所述柔顺树脂，其中所述芯片被固定至所述耸立部上方的所述柔顺树脂；

去除所述柔顺树脂的过量部分，其中：

所述柔顺树脂的所述过量部分包括不在所述耸立部与所述芯片之间的材料；

去除所述柔顺树脂的所述过量部分留下所述柔顺树脂的柱；以及

所述柔顺树脂的所述柱在所述耸立部与所述芯片之间；

将所述芯片接合至目标晶片，其中在所述芯片被固定至所述柔顺树脂的所述柱时执行将所述芯片接合至所述目标晶片；

使所述转移基底在所述注入区处断裂，使得所述耸立部的剩余部分能够与所述转移基底分离；

将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除，其中所述耸立部的所述剩余部分连接至所述柔顺树脂的所述柱；

将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺树脂的所述柱去除，其中在将所述转移基底从所述耸立部的所述剩余部分去除之后，将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺树脂的所述柱去除；以及

将所述柔顺树脂的所述柱从所述芯片去除，其中在将所述耸立部的所述剩余部分从所述柔顺树脂的所述柱去除之后，执行将所述柔顺树脂的所述柱从所述芯片去除。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述柔顺树脂中形成坑，其中：

通过去除所述柔顺树脂的一部分以形成所述坑；

所述坑形成在所述耸立部上方的所述柔顺树脂中；以及

所述芯片被固定至所述坑的表面。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

利用材料填充所述坑以保护所述芯片的侧面；以及

在所述芯片固定至所述柔顺树脂时去除所述芯片的一部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中用于保护所述芯片的侧面的所述材料是光致抗蚀剂或聚合物材料。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括将材料施加至所述芯片，其中：

使用施加至所述芯片的所述材料以将所述芯片接合至所述目标晶片；以及

施加至所述芯片的所述材料在所述芯片被固定至所述柔顺树脂的情况下被施加。

6.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述目标晶片包括硅；

所述转移基底包括硅；以及

所述芯片包括III-V族半导体材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述转移基底对在200nm至400nm范围内的光是不透明的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述注入区是氢、B、He或Si注入区。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述目标晶片包括形成凹部的壁和底部；

所述芯片接合至所述目标晶片的所述凹部的所述底部；以及

所述耸立部的宽度大于所述凹部的宽度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述芯片具有在所述目标晶片中未发现的光学、电学和/或磁性特性。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述芯片包括用于激光器的增益介质。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将第二芯片固定至所述柔顺树脂；以及

在将所述芯片接合至所述目标晶片的同时将所述第二芯片接合至所述目标晶片。