[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201580050915.6 申请日: 2015-03-30
公开(公告)号: CN107078067A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 锦泽笃志;谷藤雄一;冈浩伟;团野忠敏;中村弘幸 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L21/58
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 权太白,戚传江
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在树脂密封型的半导体装置中,在导电性的芯片焊盘(DP)上经由具有绝缘性的接合材料(BD2)搭载有半导体芯片(CP2),并且经由具有导电性的接合材料(BD1)搭载有半导体芯片(CP1)。半导体芯片(CP2)的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被接合材料(BD2)覆盖的部分的第1长度大于半导体芯片(CP1)的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被接合材料(BD1)覆盖的部分的第2长度。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,具备:芯片搭载部,具有导电性;第1半导体芯片,经由具有绝缘性的第1接合材料搭载于所述芯片搭载部上;第2半导体芯片,经由具有导电性的第2接合材料搭载于所述芯片搭载部上;以及密封体,将所述芯片搭载部的至少一部分和所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片密封,所述半导体装置的特征在于,所述第2半导体芯片具有背面电极,将所述第2半导体芯片的所述背面电极经由所述第2接合材料而与所述芯片搭载部电连接,所述第1半导体芯片的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被所述第1接合材料覆盖的部分的第1长度大于所述第2半导体芯片的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被所述第2接合材料覆盖的部分的第2长度。
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