[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201580050915.6 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN107078067A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 锦泽笃志;谷藤雄一;冈浩伟;团野忠敏;中村弘幸 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/58 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 权太白,戚传江 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在树脂密封型的半导体装置中,在导电性的芯片焊盘(DP)上经由具有绝缘性的接合材料(BD2)搭载有半导体芯片(CP2),并且经由具有导电性的接合材料(BD1)搭载有半导体芯片(CP1)。半导体芯片(CP2)的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被接合材料(BD2)覆盖的部分的第1长度大于半导体芯片(CP1)的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被接合材料(BD1)覆盖的部分的第2长度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具备:芯片搭载部,具有导电性;第1半导体芯片,经由具有绝缘性的第1接合材料搭载于所述芯片搭载部上;第2半导体芯片,经由具有导电性的第2接合材料搭载于所述芯片搭载部上;以及密封体,将所述芯片搭载部的至少一部分和所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片密封,所述半导体装置的特征在于,所述第2半导体芯片具有背面电极,将所述第2半导体芯片的所述背面电极经由所述第2接合材料而与所述芯片搭载部电连接,所述第1半导体芯片的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被所述第1接合材料覆盖的部分的第1长度大于所述第2半导体芯片的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被所述第2接合材料覆盖的部分的第2长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造