[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201580050915.6 | 申请日: | 2015-03-30 |
公开(公告)号: | CN107078067A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 锦泽笃志;谷藤雄一;冈浩伟;团野忠敏;中村弘幸 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/58 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 权太白,戚传江 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体装置及其制造方法,例如能够适合利用于将多个半导体芯片并排配置并封装体化而成的半导体装置及其制造方法。
背景技术
在芯片焊盘上搭载半导体芯片,经由导线将半导体芯片的焊盘电极与引脚电连接,并对它们进行树脂密封,从而能够制造半导体封装体形态的半导体装置。
在国际公开WO2003/034495号(专利文献1)中,记载了关于将功率半导体芯片和逻辑芯片搭载于基板而成的多芯片封装体的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开WO2003/034495号
发明内容
发明所要解决的课题
关于将多个半导体芯片并排配置并封装体化而成的半导体装置,也期望尽可能提高可靠性。
其他课题和新颖的特征根据本说明书的叙述以及附图将变得明确。
用于解决课题的技术方案
根据一个实施方式,半导体装置是在导电性的芯片搭载部上经由具有绝缘性的第1接合材料搭载有第1半导体芯片、并且经由具有导电性的第2接合材料搭载有第2半导体芯片的树脂密封型的半导体装置。并且,所述第1半导体芯片的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被所述第1接合材料覆盖的部分的第1长度大于所述第2半导体芯片的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被所述第2接合材料覆盖的部分的第2长度。
另外,根据一个实施方式,半导体装置的制造方法具有以下工序:(a)工序,在具有导电性的芯片搭载部上经由具有绝缘性的第1接合材料搭载第1半导体芯片、并经由具有导电性的第2接合材料搭载第2半导体芯片;以及(b)工序,形成将所述芯片搭载部的至少一部分和所述第1半导体芯片、所述第2半导体芯片密封的密封体。并且,所述第1半导体芯片的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被所述第1接合材料覆盖的部分的第1长度大于所述第2半导体芯片的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被所述第2接合材料覆盖的部分的第2长度。
发明效果
根据一个实施方式,能够提高半导体装置的可靠性。
附图说明
图1是作为一个实施方式的半导体装置的俯视图。
图2是作为一个实施方式的半导体装置的俯视透视图。
图3是作为一个实施方式的半导体装置的俯视透视图。
图4是作为一个实施方式的半导体装置的俯视透视图。
图5是作为一个实施方式的半导体装置的仰视图。
图6是作为一个实施方式的半导体装置的剖视图。
图7是作为一个实施方式的半导体装置的剖视图。
图8是作为一个实施方式的半导体装置的剖视图。
图9是作为一个实施方式的半导体装置的局部放大俯视透视图。
图10是示出作为一个实施方式的半导体装置的制造工序的工艺流程图。
图11是作为一个实施方式的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图12是接着图11的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图13是接着图12的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图14是接着图13的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图15是接着图14的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图16是示出芯片键合工序的详情的工艺流程图。
图17是示出芯片键合工序的详情的工艺流程图。
图18是示出芯片键合工序的详情的工艺流程图。
图19是示出芯片键合工序的详情的工艺流程图。
图20是作为一个实施方式的半导体装置的制造工序中的俯视图。
图21是接着图20的半导体装置的制造工序中的俯视图。
图22是与图21相同的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图23是接着图21的半导体装置的制造工序中的俯视图。
图24是与图23相同的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图25是接着图23的半导体装置的制造工序中的俯视图。
图26是与图25相同的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图27是接着图25的半导体装置的制造工序中的俯视图。
图28是与图27相同的半导体装置的制造工序中的剖视图。
图29是作为一个实施方式的半导体装置的制造工序中的俯视图。
图30是接着图29的半导体装置的制造工序中的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造