[发明专利]含有小分子半导体化合物和非导电聚合物的薄膜半导体在审
| 申请号： | 201580046075.6 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN107207492A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | T·魏茨;T·格斯纳;刚也纯一;己史公之 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司;巴斯夫（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C07D471/00 | 分类号： | C07D471/00;H01L29/76;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 林柏楠,刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜半导体，其含有式I或II的化合物，其中R1和R2在每次出现时独立地选自C1‑30烷基、C2‑30链烯基、C2‑30炔基和C1‑30卤代烷基，R3、R4、R5和R6独立地是H或吸电子基团，其中R3、R4、R5和R6中的至少一个是吸电子基团；和含有非导电聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 分子 半导体 化合物 导电 聚合物 薄膜 | ||
【主权项】：
一种薄膜半导体，其含有式I或II的化合物：其中：R1和R2在每次出现时独立地选自C1‑30烷基、C2‑30链烯基、C2‑30炔基和C1‑30卤代烷基，R3、R4、R5和R6独立地是H或吸电子基团，其中R3、R4、R5和R6中的至少一个是吸电子基团；和含有非导电聚合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯夫欧洲公司;巴斯夫（中国）有限公司，未经巴斯夫欧洲公司;巴斯夫（中国）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580046075.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：α-氨基-β-羧基粘康酸半醛脱羧酶抑制剂
- 下一篇：联合疗法
