[发明专利]含有小分子半导体化合物和非导电聚合物的薄膜半导体

权利要求书

1.一种薄膜半导体，其含有式I或II的化合物：

其中：

R¹和R²在每次出现时独立地选自C_1-30烷基、C_2-30链烯基、C_2-30炔基和C_1-30卤代烷基，

R³、R⁴、R⁵和R⁶独立地是H或吸电子基团，其中R³、R⁴、R⁵和R⁶中的至少一个是吸电子基团；

和含有非导电聚合物。

2.权利要求1的薄膜半导体，其中R¹和R²在每次出现时选自C_1-12烷基和C_1-12卤代烷基。

3.权利要求1或2的薄膜半导体，其中每个R³、R⁴、R⁵和R⁶是选自H、F、Cl、Br、I和-CN。

4.权利要求1-3中任一项的薄膜半导体，其中每个R³和R⁴是Br或-CN，并且R⁵和R⁶是H。

5.权利要求1-3中任一项的薄膜半导体，其中每个R³和R⁶是Br或-CN，并且R⁴和R⁵是H。

6.权利要求1-5中任一项的薄膜半导体，其中所述化合物具有式Ia或式Ib：

其中R'、R”在每次出现时是选自C_1-12烷基和C_1-12卤代烷基，和

R³、R⁴和R⁶如权利要求1中所定义。

7.权利要求1-6中任一项的薄膜半导体，其中式I化合物是：

8.权利要求1-6中任一项的薄膜半导体，其中式II化合物是：

9.权利要求1-8中任一项的薄膜半导体，其中非导电聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯。

10.一种溶液，其含有如权利要求1-8任一项中定义的式I或II的化合物、非导电有机聚合物和溶剂。

11.根据权利要求10的溶液，其中非导电聚合物是聚甲基丙烯酸甲酯。

12.根据权利要求1-11的溶液用于在基板上生长结晶半导体薄膜的用途。