[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201580041468.8 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN106663731B | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 平泽宏希;松村一辉;饭野高史 | 申请(专利权)人: | 西铁城电子株式会社;西铁城时计株式会社 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L23/12 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 刘煜 |
地址: | 日本国山梨县富*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在将半导体元件的电极与金属基板的电极直接接合的半导体装置中,提供一种成品率、连接可靠性、量产率好、散热性优良的半导体装置及其制造方法。在将金属基板(2)的电极部(2a、2b)直接接合到半导体元件(1)的电极的半导体装置的制造方法中,具备:槽形成工序,其在金属基板(2)的一个主面的元件安装位置(7)处按规定的深度形成电极分离槽(3a);元件安装工序,其在上述电极分离槽(3a)的两侧安装半导体元件(1);以及磨削工序,其从上述金属基板(2)的一个主面的背面侧起对金属基板进行磨削直至到达上述电极分离槽的位置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置是将半导体元件安装到具有一对电极部的金属基板上并对所述半导体元件进行树脂密封而成的,所述半导体装置的制造方法的特征在于,具备:槽形成工序,其在设置于大开本金属基板的一个主面的多个元件安装位置分别按规定的深度形成电极分离槽,在多个元件安装位置的周围按规定的深度形成金属基板保持用槽;树脂注入工序,其在所述电极分离槽中注入电极分离树脂,在所述金属基板保持用槽中注入金属基板保持用树脂,使得所述金属基板保持用树脂从所述大开本金属基板的一个主面突出;元件安装工序,其在通过所述各电极分离槽而被分离了的大开本金属基板表面的电极部对半导体元件进行倒装片式安装;反射框形成工序,其一边利用从所述大开本金属基板的一个主面突出的金属基板保持用树脂对大开本反射框基板进行矫正一边将所述大开本反射框基板层叠配置在所述大开本金属基板的一个主面上,从而在各半导体元件的周围形成反射框,所述大开本反射框基板具有与多个元件安装位置分别对应的多个反射框、且相邻的各反射框彼此通过连接部连接;磨削工序,其对所述金属基板的一个主面的背面侧进行磨削,使注入所述电极分离槽的电极分离树脂以及注入所述金属基板保持用槽的金属基板保持用树脂露出;以及切断分离工序,其通过将所述大开本反射框基板的连接部及所述大开本金属基板在各所述金属基板保持用树脂的中心处切断,而分离成一个单位的半导体装置。
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