[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种能够抑制回扫的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板，半导体基板具有IGBT区和二极管区。在对从表面朝向背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在阴极区与缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值。在缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值。在缓冲区与阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域。对从表面朝向背面的方向上的晶体缺陷的浓度分布进行观察时的晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与具有n型杂质浓度的极大值的一半的n型杂质浓度的位置相比靠背面侧的区域内。

主权项

1.一种半导体装置，其中，所述半导体装置具有半导体基板，该半导体基板具有绝缘栅双极性晶体管区和二极管区，在绝缘栅双极性晶体管区内的半导体基板的表面上形成有发射电极，在二极管区内的半导体基板的表面上形成有阳极电极，在半导体基板的背面上形成有背面电极，在绝缘栅双极性晶体管区内形成有：n型的发射区，其与所述发射电极相接；p型的体区，其与所述发射电极相接；n型的绝缘栅双极性晶体管漂移区，其通过所述体区而与所述发射区分离；p型的集电区，其通过所述绝缘栅双极性晶体管漂移区而与所述体区分离，并且与所述背面电极相接；栅绝缘膜，其与所述体区相接；栅电极，其隔着所述栅绝缘膜而与所述体区对置，在二极管区内形成有：p型的阳极区，其与所述阳极电极相接；n型的二极管漂移区，其相对于所述阳极区在所述背面侧邻接，并且与所述绝缘栅双极性晶体管漂移区相连；n型的缓冲区，其相对于所述二极管漂移区在所述背面侧邻接；n型的阴极区，其相对于所述缓冲区在所述背面侧邻接，并且与所述背面电极相接，在对从所述表面朝向所述背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在所述阴极区与所述缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值，并且在所述缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值，所述阴极区内的n型杂质浓度的峰值以及所述极大值与所述二极管漂移区的n型杂质浓度相比较高，在所述缓冲区与所述阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域，对从所述表面朝向所述背面的方向上的所述晶体缺陷的浓度分布进行观察时的所述晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与如下的位置相比靠所述背面侧的区域内，所述位置为与所述极大值的位置相比靠所述表面侧且具有所述极大值的一半的n型杂质浓度的位置。