[实用新型]一种快恢复半导体二极管有效
| 申请号： | 201520819282.8 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN205016509U | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 许霞林 | 申请（专利权）人： | 深圳市九鼎安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L29/861 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种快恢复半导体二极管，包括焊剂层，芯片区，钝化层，封体，负极铜引线和正极铜引线，所述的焊剂层将芯片区与负极铜引线和正极铜引线固定连接；所述的负极铜引线具体采用两个；所述的负极铜引线设置在芯片区的外侧；所述的正极铜引线设置在芯片区的中部；所述的钝化层包裹在芯片区和焊料层外侧；所述的封体包裹在钝化层的外部。本实用新型的封体，芯片区和钝化层设置，有利于提高击穿电压，增强抗浪涌能力，功耗低，恢复时间短，效果高，更换方便便捷，便于维护，便于推广和使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
一种快恢复半导体二极管，其特征是，包括焊剂层（1），芯片区（2），钝化层（3），封体（4），负极铜引线（5）和正极铜引线6，所述的焊剂层（1）将芯片区（2）与负极铜引线（5）和正极铜引线6固定连接；所述的负极铜引线（5）具体采用两个；所述的负极铜引线（5）设置在芯片区（2）的外侧；所述的正极铜引线（6）设置在芯片区（2）的中部；所述的钝化层（3）包裹在芯片区（2）和焊料层（1）外侧；所述的封体4包裹在钝化层（3）的外部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市九鼎安电子有限公司，未经深圳市九鼎安电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520819282.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：腐植酸复混肥的生产工艺
- 下一篇：具有可变型垫片的移动式污泥处理装置
