[实用新型]四通路高频小功率晶体管阵列有效

专利信息
申请号: 201520267190.3 申请日: 2015-04-28
公开(公告)号: CN204558461U 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: 苏舟;王立伟;闫岩;潘宇净 申请(专利权)人: 锦州辽晶电子科技有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/488;H01L23/08
代理公司: 锦州辽西专利事务所 21225 代理人: 李辉
地址: 121000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种四通路高频小功率晶体管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特殊之处是:在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域,将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。实现了独立的四通路模拟开关的功能,各通路开关性能良好且相互独立,可进行数字信号与模拟信号的传输,导通电阻小、开关频率快,产品的一致性与可靠性水平得到了进一步提高;结构紧凑、占用空间小、散热性好,在高温、高湿、强震动的恶劣条件下正常工作。
搜索关键词: 通路 高频 功率 晶体管 阵列
【主权项】:
一种四通路高频小功率晶体管阵列,包括陶瓷金属化管底座、金属盖板,所述金属盖板与陶瓷金属化底座封装构成管壳,在管壳上设置扁平外引线,其特征是:在陶瓷金属化管底座上设有四部分独立且交错平行排列的金属化区域,将四个高频小功率晶体管芯片通过导电胶分别粘接在对应的金属化区域上,用硅铝丝将高频小功率晶体管芯片与扁平外引线的位于管壳腔体内部部分进行电气连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于锦州辽晶电子科技有限公司,未经锦州辽晶电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520267190.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top