[发明专利]三维半导体元件及其制造方法有效
申请号: | 201510931542.5 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN106887431B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 李冠儒 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11556 | 分类号: | H01L27/11556;H01L27/11582 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维半导体元件,包括多条接地选择线区段分隔开地形成于一基板上,且这些接地选择线区段是彼此电性绝缘和相互平行地延伸,接地选择线区段是沿第一方向延伸;多个叠层结构垂直形成于接地选择线区段上,且各叠层结构包括交替叠层的半导体层和绝缘层;多条串行选择线分别形成于叠层结构上,且串行选择线是沿第一方向延伸;以及多条位线设置于串行选择线上方并沿第二方向延伸,位线是相互平行并垂直于串行选择线与接地选择线区段,其中存储器层的存储单元是由相应的叠层结构、串行选择线、接地选择线区段和位线所定义。 | ||
搜索关键词: | 三维 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种三维半导体元件,包括:多条接地选择线区段分隔开地形成于一基板上,且这些接地选择线区段是彼此电性绝缘和相互平行地延伸,这些接地选择线区段是沿第一方向延伸;多个叠层结构垂直形成于这些接地选择线区段上,且各该叠层结构包括交替叠层的多个半导体层和多个绝缘层;多条串行选择线分别形成于这些叠层结构上,且这些串行选择线是沿该第一方向延伸;多条位线设置于这些串行选择线上方并沿第二方向延伸,这些位线是相互平行并垂直于这些串行选择线与这些接地选择线区段,其中存储器层的存储单元是由相应的这些叠层结构、这些串行选择线、这些接地选择线区段和这些位线所定义;多个接地选择线接触导体形成于一接地选择线接触区域内,且分别电性连接这些接地选择线区段;多个串行选择线接触导体,分别电性连接这些串行选择线;多个阶梯接触导体,形成于一阶梯着陆区域中,且这些阶梯接触导体是与相应的这些存储器层的这些半导体层电性连接;和一刻蚀停止层形成于这些串行选择线上方和这些叠层结构的侧壁上,且延伸至该阶梯着陆区域,该刻蚀停止层亦形成于该接地选择线区段的一着陆平台的上方,该着陆平台用以设置对应的该接地选择线接触导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的