[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本公开提供一种半导体装置的制造方法。此方法包含形成一材料层于一基底之上；形成一第一硬掩膜层于材料层之上；沿着一第一方向，形成一第一沟槽于第一硬掩膜层中。此方法亦包含:沿着第一沟槽的侧壁形成一第一间隔物；通过第一间隔物防护第一沟槽，于第一硬掩膜层中形成平行于第一沟槽的一第二沟槽。此方法亦包含:蚀刻材料层穿过第一沟槽及第二沟槽；移除第一硬掩膜层及第一间隔物；形成第二硬掩膜层于材料层之上；形成一第三沟槽于第二硬掩膜层中。第三沟槽沿着垂直于第一方向之一第二方向延伸，且与第一沟槽重叠。此方法亦包含:蚀刻材料层穿过第三沟槽。本公开可减少圆角角落变形，可减少线末端短缩变形且可克服失准。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一基底之上；形成一第一硬掩膜层于该材料层之上；形成一第一沟槽于该第一硬掩膜层中，其中该第一沟槽沿着一第一方向延伸；沿着该第一沟槽的侧壁形成一第一间隔物；形成一第一图案化光致抗蚀剂层于该第一硬掩膜层之上；通过该第一间隔物防护该第一沟槽，于该第一硬掩膜层中形成平行于该第一沟槽的一第二沟槽；蚀刻该材料层穿过该第一沟槽及该第二沟槽；移除该第一硬掩膜层及该第一间隔物；形成一第二硬掩膜层于该材料层之上；形成一第三沟槽于该第二硬掩膜层中，其中该第三沟槽沿着垂直于该第一方向之一第二方向延伸，其中该第三沟槽与该第一沟槽重叠；以及蚀刻该材料层穿过该第三沟槽。