[发明专利]存储器元件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种存储器元件及其制作方法。其中，一种立体NAND闪存，包括偶数和奇数导电条带堆叠结构。导电条带堆叠结构中的一些导电条带作为字线。多个数据存储结构位于偶数和奇数导电条带堆叠结构的侧壁上。多个主动柱状体包括多个偶数和奇数半导体薄膜，位于数据存储结构上，且在底部端彼此连接，藉以使这些半导体薄膜具有U形电流通道。一个偶数焊垫连接位于偶数导电条带堆叠结构上的偶数半导体薄膜；一个奇数焊垫连接位于奇数导电条带堆叠结构上的奇数半导体薄膜。一条参考线片段连接至偶数焊垫。一个跨平面层连接器连接奇数焊垫。一条位线段与跨平面层连接器接触。该存储器元件具有可靠、微小的存储单元以及高数据密度。

主权项

1.一种存储器元件，其特征在于，包括：一第一导电条带堆叠结构，具有多个侧壁；一第二导电条带堆叠结构，具有多个侧壁；多个数据存储结构位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上；多个第一垂直通道膜，位于该些数据存储结构上，且位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上，其中每一该些第一垂直通道膜包括一第一焊垫位于该第一导电条带堆叠结构上，且位于该第一垂直通道膜的一顶端；多个第二垂直通道膜，位于该些数据存储结构上，且位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构的该些侧壁上，其中每一该些第二垂直通道膜包括一第二焊垫位于该第二导电条带堆叠结构上，且位于该第二垂直通道膜的一顶端；其中该些第一垂直通道膜和该些第二垂直通道膜彼此连接于多个底端；一第一图案化导电平面层(first level of patterned conductors)，位于该第一导电条带堆叠结构和该第二导电条带堆叠结构上方，包括一参考线片段以及一跨平面层连接器(inter‑level connector)，该参考线片段与该第一焊垫连接，该跨平面层连接器与该第二焊垫连接；以及一第二图案化导电平面层，位于该第一图案化导电平面层上，包括一位线片段，该位线片段包括一延伸部与该跨平面层连接器接触。