[发明专利]芯片的阻挡层及其制备方法有效
| 申请号： | 201510801891.5 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN106783800B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 荣延栋;郑金果;侯珏;卢平元;夏威;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 左文;段志慧 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片的阻挡层及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于提高阻挡层的阻挡作用，并且不会增加甚至可以减少溅射镀膜机台的维护次数。其中所述基片上的阻挡层为单层金属薄膜结构或者多层金属薄膜层叠的结构，且所述阻挡层中至少一层金属薄膜具有非晶结构。前述芯片的阻挡层设置于导电层与基片之间，用于防止导电层与基片之间的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 阻挡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片的阻挡层，其特征在于，所述阻挡层为单层金属薄膜结构或者多层金属薄膜层叠的结构，且所述阻挡层中至少一层金属薄膜具有非晶结构。
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