[发明专利]自对准分裂栅极闪速存储器

摘要

本发明实施例涉及一种自对准分裂栅极存储单元和相关的方法。自对准分裂栅极存储单元具有存储栅极，存储栅极具有平坦的顶面。存储栅极间隔件直接布置在存储栅极之上，存储栅极间隔件的横向尺寸小于存储栅极的横向尺寸。存储栅极间隔件具有沿着电荷捕获层的上部设置的内侧壁和相对于存储栅极的外侧壁横向地向回凹进的外侧壁。在一些实施例中，介电衬垫连续地内衬于存储栅极的外侧壁、在未被存储栅极间隔件覆盖的存储栅极的顶面的部分上延伸以及沿着存储栅极间隔件的外侧壁向上延伸。

主权项

1.一种分裂栅极存储单元，包括：选择栅极，设置在半导体衬底上方，通过栅极介电层与所述半导体衬底分开；存储栅极，布置在所述选择栅极的一侧处；电荷捕获层，具有设置在所述选择栅极和所述存储栅极的相邻侧壁之间的垂直部分和在所述存储栅极下面延伸的横向部分；源极/漏极区，设置在所述选择栅极和所述存储栅极的相对两侧处的所述半导体衬底中；存储栅极间隔件，直接布置在所述存储栅极之上，所述存储栅极间隔件的横向尺寸小于所述存储栅极的横向尺寸，其中，所述存储栅极间隔件具有沿着所述电荷捕获层的上部设置的内侧壁和相对于所述存储栅极的外侧壁横向地向回凹进的外侧壁；以及介电衬垫，连续地内衬于所述存储栅极的所述外侧壁、在未被所述存储栅极间隔件覆盖的所述存储栅极的顶面的部分上延伸以及沿着所述存储栅极间隔件的所述外侧壁向上延伸；以及侧壁间隔件，设置在所述介电衬垫的侧面上；其中，所述介电衬垫延伸到所述侧壁间隔件下方并将所述侧壁间隔件与所述半导体衬底分离。