[发明专利]集成电路装置及封装组件有效
| 申请号： | 201510711114.1 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN105390473B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 黄见翎;吴逸文;王俊杰;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金鹏;周滨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种及封装组件，该集成电路装置包括：一半导体基板；一第一凸块底金属层，形成于该半导体基板之上；一第二凸块底金属层，形成于该第一凸块底金属层之上，具有一侧面；一导电柱，形成于该第二凸块底金属层之上，具有一侧面与一顶面；以及一保护结构，形成于该导电柱的该侧面与该第二凸块底金属层的该侧面之上；其中该保护结构由一聚合物层所形成，而该导电柱由一含铜层所形成，其中所述聚合物层具有数十微米的一厚度。本发明可调整基板的应力，避免了于回焊工艺中沿着凸块底金属层的周围的铜柱的焊锡湿润情形，因此适用于精细间距凸块技术。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 封装 组件 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置，包括：一半导体基板；一第一凸块底金属层，形成于该半导体基板之上，具有一侧面；一第二凸块底金属层，形成于该第一凸块底金属层之上，具有一侧面；一导电柱，形成于该第二凸块底金属层之上，具有一侧面与一顶面；以及一保护结构，形成于该导电柱的该侧面与该第二凸块底金属层的整个该侧面之上，且不覆盖该第一凸块底金属层的该侧面，其中该保护结构由一聚合物层所形成，而该导电柱由一含铜层所形成，其中所述聚合物层具有数十微米的一厚度，且所述聚合物层包括介电材料。
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