[发明专利]一种隧穿场效应晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法通过制备工艺设计实现了超陡源结的隧穿场效应晶体管。本发明可以显著改善器件特性；同时，该制备方法与标准的CMOS IC工艺兼容，能有效地在CMOS集成电路中集成TFET器件，还可以利用标准工艺制备由TFET组成的低功耗集成电路，极大地降低了生产成本，简化了工艺流程。

主权项

一种隧穿场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：1)衬底准备：轻掺杂或未掺杂的半导体衬底；2)在衬底上初始热氧化并淀积一层氮化物；3)光刻后进行浅沟槽隔离，并淀积隔离材料填充深孔后进行化学机械平坦化；4)热氧化形成注入阻挡层，光刻暴露出隧穿源区，以光刻胶为掩膜，进行离子注入形成隧穿源区，浓度约为1E20cm^‑3‑1E21cm^‑3；5)进行化学机械平坦化CMP，去除注入阻挡层及表面杂质浓度较低的部分源区，使得表面处于杂质浓度峰值区域；6)外延生长本征硅Si材料，并刻蚀形成垂直沟道；7)生长栅介质材料和栅材料；8)淀积掩膜层，该掩膜层厚度即为器件栅长，去除多余栅材料，形成L型双栅结构；9)以掩膜层为掩膜，进行离子注入形成漏区掺杂，掺杂浓度约1E18cm^‑3‑1E19cm^‑3；10)快速高温退火激活杂质；11)最后进入同CMOS一致的后道工序，包括淀积钝化层、开接触孔以及金属化，即可制得具有超陡源结的隧穿场效应晶体管。