[发明专利]真空管闪存结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510658550.7 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106571367A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/28;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种真空管闪存结构及其制造方法，在沟道中形成真空，并且采用氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构作为栅介质层，其中，氮化物能够很好的束缚电荷，从而为栅极和真空之间提供绝缘阻挡作用。由于采用了氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构作为栅介质层，能够使形成的器件具有更好的编程、擦除速度及贮存时间，同样还能够提高优越的栅极控制性能及极小的栅极漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 真空管 闪存 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种真空管闪存结构，其特征在于，包括：衬底、介质层、栅介质层、栅极及源漏极，其中，所述介质层形成在所述衬底上，所述栅极及源漏极形成在所述介质层上，所述源漏极分别位于所述栅极的两侧，所述栅极中设有真空，暴露出两侧源漏极，所述栅介质层形成在所述真空中栅极的侧壁上，所述栅介质层为氧化物‑氮化物‑氧化物组合结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510658550.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
