[发明专利]发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510557528.3 | 申请日： | 2015-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN105161596B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 谢鹏杰 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/32;H01L33/00;H01L21/205;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，其特征在于，包括低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述不掺杂GaN层之上；有源层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之上；电子阻挡层，位于所述有源层之上；以及高温P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上；其中，在改变N层气氛的条件下生长掺杂Si的N型GaN层，在改变P层气氛以及加大CP2Mg掺杂的条件下生长高温P型GaN层。本申请提出的发光二极管的外延片及其制作方法，通过改变生长N/P层时气氛使得内圈电压下降，减少清腔后电压偏高影响品质的情况，内圈电压下降的同时不影响器件的发光强度，减少清腔后恢复炉次数，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述不掺杂GaN层之上；有源层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之上；电子阻挡层，位于所述有源层之上；以及高温P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上；其中，在调节气氛加大对内圈的沉积的条件下生长掺杂Si的N型GaN层，在调节气氛加大对内圈的沉积以及加大CP2Mg掺杂的条件下生长高温P型GaN层。
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