[发明专利]一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510477028.9 | 申请日： | 2015-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN105140105A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王宙;骆旭梁;董桂馥;付传起;雍帆 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/16 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 胡景波 |
| 地址： | 116622 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，该方法为：选取硅靶材和硼靶材，将硅靶材、硼靶材和处理后的基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10-4Pa，基板温度为600～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；用激光器发射激光，控制频率为1～4Hz，溅射1～3小时；最后将薄膜在800～900℃下退火1～3h，得硼掺杂多晶硅薄膜。本发明的制备方法可以有效控制多晶硅薄膜的厚度以及硼掺杂浓度，工艺简单，重复性好，成本低廉，制得的薄膜致密性好，具有优异的压阻特性和高温稳定性；电阻的温度系数小，应变系数大，为多晶硅压力传感器的发展提供了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 特性 掺杂 多晶 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，选取硅靶材和硼靶材，将硅靶材、硼靶材和处理后的基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10‑4Pa，基板温度为600～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；用激光器发射激光，频率为1～4Hz，溅射1～3小时；最后将薄膜在800～900℃下退火1～3h，得硼掺杂多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
