[发明专利]一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，选取硅靶材和硼靶材，将硅靶材、硼靶材和处理后的基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10^-4Pa，基板温度为600～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；用激光器发射激光，频率为1～4Hz，溅射1～3小时；最后将薄膜在800～900℃下退火1～3h，得硼掺杂多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的硅靶材纯度为99.99％。

3.根据权利要求1所述的一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的硼靶材纯度为99.99％。

4.根据权利要求1所述的一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的基板为石英玻璃基板。

5.根据权利要求1所述的一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述的基板处理方法为：石英玻璃基板先经过去离子水洗，然后在丙酮中超声10～15分钟，再用无水乙醇清洗，烘干。

6.一种按权利要求1～5所述的任一种方法制备的高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜。

7.根据权利要求6所述的高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜，其特征在于，硼掺杂量为0.05～0.25at.％。