[发明专利]多晶硅薄膜及制作方法、TFT及制作方法、显示面板有效
| 申请号： | 201510350269.7 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105097450B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李小龙;刘政;陆小勇;李栋;龙春平 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜及制作方法、TFT及制作方法、显示面板，所述制作方法包括：形成多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行处理，以使得所述多晶硅层的表面呈电负性；向工艺腔内通入极性气体，使极性气体中的极性分子吸附在表面呈电负性的多晶硅层的表面，以获得表面的空穴密度大于电子密度的所述多晶硅薄膜。本发明制作的多晶硅薄膜表面形成有向上的电场，从而使空穴积累在多晶硅薄膜表面，宏观上表现为在多晶硅薄膜表面形成稳定的空穴导电沟道，由于空穴的移动速度较慢，能够有效降低光致漏电效应和高温、应力导致的漏电效应，从而减小了漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制作方法 tft 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行处理，以使得所述多晶硅层的表面呈电负性；向工艺腔内通入极性气体，使极性气体中的极性分子吸附在表面呈电负性的多晶硅层的表面，以获得表面的空穴密度大于电子密度的所述多晶硅薄膜；对所述多晶硅层的表面进行处理的步骤包括：向工艺腔内通入氧气，对所述多晶硅层的表面进行氧气等离子化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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