[发明专利]多晶硅薄膜及制作方法、TFT及制作方法、显示面板有效

申请号：	201510350269.7	申请日：	2015-06-23
公开（公告）号：	CN105097450B	公开（公告）日：	2019-11-01
发明（设计）人：	李小龙;刘政;陆小勇;李栋;龙春平	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L27/12;H01L21/77
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	彭瑞欣;陈源
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	多晶薄膜制作方法 tft 显示面板
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【说明书】：

本发明公开了一种多晶硅薄膜及制作方法、TFT及制作方法、显示面板，所述制作方法包括：形成多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行处理，以使得所述多晶硅层的表面呈电负性；向工艺腔内通入极性气体，使极性气体中的极性分子吸附在表面呈电负性的多晶硅层的表面，以获得表面的空穴密度大于电子密度的所述多晶硅薄膜。本发明制作的多晶硅薄膜表面形成有向上的电场，从而使空穴积累在多晶硅薄膜表面，宏观上表现为在多晶硅薄膜表面形成稳定的空穴导电沟道，由于空穴的移动速度较慢，能够有效降低光致漏电效应和高温、应力导致的漏电效应，从而减小了漏电流。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种多晶硅薄膜及该多晶硅薄膜的制作方法、包括该多晶硅薄膜的TFT及该TFT的制作方法、以及包括该TFT的显示面板。

背景技术

低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管(TFT)由于迁移率高、耗电量低、产品轻薄等优点被广泛应用于液晶显示面板(LCD)和发光二极管显示面板(OLED)中。然而，低温多晶硅薄膜晶体管器件在施加光照、高温或者应力时，漏电流明显增加，这一问题在一定程度上阻碍了低温多晶硅显示面板的发展。

现有技术中主要采用设置轻掺杂漏区(Lightly Doped Drain，LDD)的方法来减少低温多晶硅器件的漏电流。如图1所示，薄膜晶体管器件在沟道区1的靠近两侧源漏极的位置设置了轻掺杂漏区2，让轻掺杂漏区2也承受部分电压，以减轻漏电流。但是该方法会增加一道掩膜工艺，从而提高了生产成本。另外，光刻胶掩模的精度大约在2μm左右，难以满足沟道小尺寸的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多晶硅薄膜及其制作方法、TFT及其制作方法、显示面板，以减小漏电流。

为解决上述技术问题，作为本发明的第一个方面，提供一种多晶硅薄膜的制作方法，包括以下步骤：

形成多晶硅层；

对所述多晶硅层的表面进行处理，以使得所述多晶硅层的表面呈电负性；

向工艺腔内通入极性气体，使极性气体中的极性分子吸附在表面呈电负性的多晶硅层的表面，以获得表面的空穴密度大于电子密度的所述多晶硅薄膜。

优选地，对所述多晶硅层的表面进行处理的步骤包括：向工艺腔内通入氧气，对所述多晶硅层的表面进行氧气等离子化处理。

优选地，对所述多晶硅层的表面进行氧气等离子化处理的步骤中，所述工艺腔内的气压为1100-1300mTorr，处理时间为250-350s。

优选地，所述制作方法还包括向工艺腔内通入极性气体之前进行的：

对所述工艺腔抽真空。

优选地，向工艺腔内通入极性气体的步骤中，所述工艺腔内的气压为50-150mTorr，处理时间为30-50min。

优选地，所述极性气体包括N₂、SiH₄、NO₂和NH₃中的任意一种或多种。