[发明专利]多晶硅薄膜及制作方法、TFT及制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成多晶硅层；

对所述多晶硅层的表面进行处理，以使得所述多晶硅层的表面呈电负性；

向工艺腔内通入极性气体，使极性气体中的极性分子吸附在表面呈电负性的多晶硅层的表面，以获得表面的空穴密度大于电子密度的所述多晶硅薄膜；

对所述多晶硅层的表面进行处理的步骤包括：向工艺腔内通入氧气，对所述多晶硅层的表面进行氧气等离子化处理。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，对所述多晶硅层的表面进行氧气等离子化处理的步骤中，所述工艺腔内的气压为1100-1300mTorr，处理时间为250-350s。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括向工艺腔内通入极性气体之前进行的：

对所述工艺腔抽真空。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，向工艺腔内通入极性气体的步骤中，所述工艺腔内的气压为50-150mTorr，处理时间为30-50min。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述极性气体包括NO₂和NH₃中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在形成多晶硅层之前进行的：

在衬底基板上方形成非晶硅层；

对所述非晶硅层进行准分子激光退火处理，得到所述多晶硅层。

7.一种TFT的制作方法，其特征在于，包括形成多晶硅薄膜的步骤，其中，所述多晶硅薄膜采用权利要求1至6中任意一项所述的制作方法形成。

8.根据权利要求7所述的TFT的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在形成所述多晶硅薄膜之后进行的：

在所述多晶硅薄膜上依次形成第一绝缘层和栅极；

在所述栅极上形成第二绝缘层；

形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的两个过孔；

在所述第二绝缘层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过两个所述过孔与所述多晶硅薄膜相连。

9.一种权利要求1-6任一项所述方法制作的多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜表面的空穴密度大于电子密度。

10.根据权利要求9所述的多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜的表面形成有Si-O偶极子，所述Si-O偶极子的位于所述多晶硅薄膜外侧的部分吸附有极性分子。

11.一种TFT，其特征在于，所述TFT包括权利要求9或10所述的多晶硅薄膜。

12.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求11所述的TFT。