[发明专利]具有交错的垂直栅极的3D NAND非易失性存储器

摘要

一种存储器装置包括数个叠层的导电条、位于数个叠层的导电条上面并正交于数个叠层的导电条的字线、垂直栅极柱以及控制电路。字线电性耦接至垂直栅极柱，用于作为控制这些叠层的导电条中的电流流动的栅极。字线包括彼此相邻的第一字线及第二字线。垂直栅极柱在这些叠层的导电条之间。垂直栅极柱包括电性耦接至第一字线的第一组垂直栅极柱以及电性耦接至第二字线的第二组垂直栅极柱。第一组垂直栅极柱相对于第二组垂直栅极柱交错。控制电路控制字线作为栅极以控制这些叠层的导电条中的电流流动，并控制非易失性存储器操作。

主权项

一种存储器装置，包括：多个叠层的导电条，该导电条具有一厚度方向，沿着该厚度方向，同一叠层中相邻的导电条通过介电材料隔开；多条字线，位于该多个叠层的导电条上面并正交于该多个叠层的导电条，该多条字线电性耦接至多个垂直栅极柱，这些垂直栅极柱用于作为控制该多个叠层的导电条中的电流流动的数个栅极，该多条字线包括彼此相邻的一第一字线及一第二字线；该多个垂直栅极柱，在该多个叠层的导电条之间，该多个垂直栅极柱包括一电性耦接至该第一字线的第一组垂直栅极柱，以及一电性耦接至该第二字线的第二组垂直栅极柱，该第一组垂直栅极柱相对于该第二组垂直栅极柱交错；其中，在沿着多条字线的第一位置，第一字线覆盖于第一介电区域上，且无覆盖第一组垂直栅线柱，第二字线覆盖于第二组垂直栅线柱的其中之一上，以及其中，在沿着多条字线的第二位置，第一字线覆盖于第一组垂直栅线柱的其中之一上，且第二字线覆盖于一第二介电区域，且没有覆盖第二组垂直栅线柱；其中，第一介电区域和第二介电区域在厚度方向具有一厚度，该厚度超过同一叠层的多个导电条中至少两个在厚度方向的合成厚度，以及一控制电路，控制该多条字线作为数个栅极以控制该多个叠层的导电条中的电流流动，并控制数个非易失性存储器操作。