[发明专利]一种三维集成电路的器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510324367.3 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097769B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 朱继锋;梅绍宁;鞠韶复 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维集成电路的器件及其制备方法，通过在非器件区域的晶圆的背面表面设置有电感电容的电路元件，该电感电容接触晶圆背面的大部分面积，因此所制备的电感电容面积相对较大，电容储存电能的容量、内阻等指标以及电感的能量传输指标均可以达到器件生产的需求，同时因晶圆的背面可用来形成引线，所以超大面积的电容亦不会对其他电路元件的设计与分布造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维集成电路 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路的器件，其特征在于，所述器件包括：第一晶圆，具有正面及相对于所述正面而设定的背面，且临近所述正面于所述第一晶圆中设置有器件结构；第二晶圆，具有正面及相对于所述正面而设定的背面，且临近所述正面于所述第二晶圆中设置有器件结构；所述第二晶圆的正面键合至所述第一晶圆的正面上；所述第一晶圆的背面上和/或所述第二晶圆的背面上设置有非器件区域；第三BEOL介质层，覆盖位于所述非器件区域的所述第一晶圆的背面表面和/或所述非器件区域的所述第二晶圆的背面表面；其中，所述第三BEOL介质层中设有电路元件。
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