[发明专利]存储器元件有效
申请号: | 201510323015.6 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN105742287B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 吕函庭 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/11573 | 分类号: | H01L27/11573;H01L27/11582;H01L29/792;H01L27/1157;H01L29/423 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种存储器元件,包括一半导体本体、在半导体本体中的一第一终端、围绕于第一终端的一通道区域,以及围绕于通道区域的一第二终端,半导体本体具有一第一导电类型,第一终端具有一第二导电类型,通道区域具有第一导电类型,第二终端具有第二导电类型。一连接器是与第一终端接触,且可连接至一上覆图案化导线中的一位线。存储器材料是配置在通道区域之上,且可包括一介电电荷储存结构。一控制栅极围绕于第一终端,且配置在存储器材料之上。一导电线围绕于控制栅极,且与第二终端接触。控制栅极与导电线可为环形(ring shaped)。 | ||
搜索关键词: | 终端 通道区域 半导体本体 控制栅极 第一导电类型 存储器材料 存储器元件 导电类型 终端接触 导电线 连接器 电荷储存结构 图案化导线 可连接 配置 位线 | ||
【主权项】:
1.一种存储器元件,包括:一环状栅极NOR单元,该环状栅极NOR单元包括一半导体本体、在该半导体本体中的一第一终端、一通道区域以及在该半导体本体中的一第二终端,该半导体本体具有一第一导电类型,该第一终端具有一第二导电类型,该通道区域具有该第一导电类型并围绕于该第一终端,该第二终端具有该第二导电类型并围绕于该通道区域;一连接器,与该第一终端接触;一存储器材料,置于该通道区域之上;一控制栅极,围绕于该第一终端,并置于该存储器材料之上;以及一导电线,围绕于该控制栅极,并与该第二终端接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的