[发明专利]碳化硅二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510296838.4 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106298967B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 王辉;蔡勇;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/24 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰;黄进 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅二极管，包括碳化硅衬底以及形成于所述碳化硅衬底上的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中，按照从顶部到底部的顺序依次设置有第一台阶面和第二台阶面；其中，在所述第一台阶面上，通过离子注入工艺形成一P+保护环；在所述第二台阶面上，通过离子注入工艺形成一P+收集环。本发明还公开了如上碳化硅二极管的制备方法。该碳化硅二极管的结构中，不仅能提高了碳化硅二极管的击穿电压，还能减少SiC外延层面积的使用，进而降低器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅二极管，包括碳化硅衬底以及形成于所述碳化硅衬底上的碳化硅外延层，其特征在于，所述碳化硅外延层中，按照从顶部到底部的顺序依次设置有第一台阶面和第二台阶面；其中，在所述第一台阶面上，通过离子注入工艺形成一P+保护环；在所述第二台阶面上，通过离子注入工艺形成一P+收集环；/n其中，所述第一台阶面与二极管结边缘的距离为0～10μm；所述第一台阶面的宽度为1～20μm，深度为0.5～10μm；所述P+保护环的结深为0.5～5μm，宽度为0.5～10μm；所述P+保护环的掺杂浓度为1×10
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