[发明专利]一种提高键合力的方法及一种半导体键合结构在审
| 申请号： | 201510237662.5 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104900615A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李冠男;张伟光;胡胜;姚昌胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制作技术领域，尤其涉及一提高键合力的方法及一种半导体键合结构，通过在器件硅片之上制备一LD TEOS层代替传统工艺中制备的TEOS层，然后于等离子体发生工艺中完成制备有LD TEOS层的器件硅片与负载硅片的键合，使得键合力大幅度提高，有效提高了产品的良率，增大了工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 合力 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种提高键合力的方法，应用于硅片的键合工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供器件硅片和负载硅片；于所述器件硅片之上制备LD TEOS层；将所述负载硅片键合至所述LD TEOS层之上，以将所述器件硅片与负载硅片键合。
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