[发明专利]高效发光二极管有效
| 申请号： | 201510229202.8 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN104851952B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 金多慧;李俊熙;柳宗均;金彰渊;林弘澈 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的示例性实施例涉及一种高效发光二极管(LED)。根据示例性实施例的LED包括基底；半导体堆叠件，布置在基底上，其中，半导体堆叠件具有p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，其中，电极延伸件具有与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的表面区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；半导体堆叠件，布置在基底上，半导体堆叠件包括p型半导体层、有源层和n型半导体层；第一金属层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一金属层与半导体堆叠件欧姆接触；第一电极焊盘，布置在半导体堆叠件上；电极延伸件，从第一电极焊盘延伸，电极延伸件包括与n型半导体层接触的接触区；第一绝缘层，设置在基底和半导体堆叠件之间，第一绝缘层覆盖p型半导体层的在电极延伸件的接触区下方的第一区域；第二绝缘层，设置在第一电极焊盘和半导体堆叠件之间，其中，第一绝缘层包括暴露半导体堆叠件的至少一个沟槽，其中，第一金属层设置在第一绝缘层和基底之间，并通过填充所述至少一个沟槽与半导体堆叠件欧姆接触，其中，所述至少一个沟槽的侧壁是倾斜的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司，未经首尔伟傲世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510229202.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 能增益光输出效能的发光二极管结构-201910280004.2
- 陈冠维;陈冠宇 - 态金材料科技股份有限公司
- 2019-04-09 - 2019-11-12 - H01L33/46
- 本发明公开了一种能增益光输出效能的发光二极管结构，其是使一金属玻璃反射层设置于一发光二极管(LED)的结构中以反射该发光二极管所发出的光，借此增益该发光二极管的光输出，以提升其效率。
- 微型发光元件及其制造方法与显示装置及过渡载板装置-201710893929.5
- 林炳昌;罗国隆;杨文玮;何金原 - 友达光电股份有限公司
- 2017-09-28 - 2019-11-12 - H01L33/46
- 微型发光元件及其制造方法与显示装置及过渡载板装置，微型发光元件包含图案化黏着层、发光二极管以及反射层。图案化黏着层具有相对的底面与顶面。发光二极管设置于图案化黏着层的顶面，其中发光二极管至少包含第一半导体层、与第一半导体层部分重叠的第二半导体层、第一电极连接该第一半导体层以及第二电极连接第二半导体层。反射层设置于图案化黏着层的底面，反射层具有多个第一峰部与多个第一谷部以呈高低起伏的表面。
- 发光二极管的倒装芯片及其制造方法和发光方法-201810382603.0
- 邬新根;刘英策;李俊贤;吴奇隆 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2018-04-26 - 2019-11-05 - H01L33/46
- 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和发光方法，其中所述倒装芯片包括至少一反射层、至少一N型电极、至少一P型电极至少一分布式布拉格反射单元以及一外延单元，其中所述外延单元包括一衬底、一N型层、一有源层以及一P型层，所述衬底、所述N型层、所述有源层和所述P型层被依次重叠地设置，并且所述外延单元具有至少一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述P型层的外侧面经由所述有源层延伸至所述N型层，其中所述反射层形成于所述P型层，所述分布式布拉格反射单元一体地结合于所述N型层、所述有源层、所述P型层以及所述反射层，其中所述N型电极被电连接于所述N型层，所述P型电极被电连接于所述P型层。
- 发光元件-201910327489.6
- 森祐太;船蔵优作 - 日亚化学工业株式会社
- 2019-04-23 - 2019-11-05 - H01L33/46
- 本发明提供一种既能够抑制正向电压的上升又能够提高光取出效率的发光元件。发光元件具备半导体层积体，该半导体层积体具有：n型半导体层，其包括光取出面和n侧接触面，该n侧接触面设于所述光取出面的相反侧；发光层，其设于所述n型半导体层的除所述n侧接触面以外的区域；p型半导体层，其设于所述发光层上。俯视观察时，所述p型半导体层以包围所述n侧接触面的方式设置。在所述n侧接触面的包含中央部的区域设有第一绝缘膜。设有具有n接触部的n侧电极，该n接触部设于所述n侧接触面中的所述第一绝缘膜的周围且与所述n侧接触面接触。
- 一种超高反射率的紫外通孔结构的LED芯片及其制备方法-201810448188.4
- 李国强 - 河源市众拓光电科技有限公司
- 2018-05-11 - 2019-10-18 - H01L33/46
- 本发明公开了一种超高反射率的紫外通孔结构的LED芯片，包括外延衬底和在外延衬底上生长的LED外延片；LED外延片包括n型掺杂GaN薄膜、InGaN或AlGaN/GaN多量子阱以及p型掺杂GaN薄膜，InGaN或AlGaN/GaN多量子阱生长在n型掺杂GaN薄膜上，p型掺杂GaN薄膜生长在InGaN/GaN量子阱上；外延衬底为Si衬底、GaN衬底、Cu衬底、LSAT衬底或LiGaO2衬底。本发明还提供一种超高反射率的紫外通孔结构的LED芯片的制备方法。本发明的LED芯片在完美继承垂直线形结构的优点同时，而且在紫外波段具有反射率高且抗氧化能力强的特点。
- 发光二极管-201910765017.9
- 黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 - 新世纪光电股份有限公司
- 2016-02-17 - 2019-10-08 - H01L33/46
- 本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
- 一种发光二极管-201920641885.1
- 林志伟;陈凯轩;卓祥景;曲晓东;蔡建九 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-05-07 - 2019-10-08 - H01L33/46
- 本实用新型提供了一种发光二极管，通过所述多功能层的电流阻挡区、通孔及其排列规律的设置，首先、具有斜侧壁的通孔结合所述金属反射镜使得出光角度明显提高；其次、所述金属反射镜通过所述通孔与第二导电层形成欧姆接触，所述通孔的排列规律：沿所述电流阻挡区边缘向多功能层外围的延伸方向上，所述通孔的底面面积逐渐增大或通孔的布设逐渐密集，能有效引导电流的传导；然后、所述第一电极和所述电流阻挡区在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，使得第一电极的电流效果达到最佳，获得更高的发光效率。
- 一种自带反射碗杯的红外LED芯片-201920511125.9
- 徐洲;王洪占;彭钰仁;张国庆;陈凯轩;蔡端俊 - 扬州乾照光电有限公司
- 2019-04-15 - 2019-10-01 - H01L33/46
- 本申请提供了一种自带反射碗杯的红外LED芯片，该自带反射碗杯的红外LED芯片通过在衬底中第二区域的侧壁和背面依次形成ODR介质层和ODR金属反射层，进而构成反射碗杯，使射向衬底的光线可以被反射，并从LED芯片的上表面或侧壁取出。并且，ODR介质层和ODR金属反射层形成的结构在三维结构中实际为倒置四棱台型，类似于反射碗杯的功能，进而提高LED光取出率，降低能量损失。
- 发光二极管-201610623516.0
- 彭建忠;黄建翔;沈佳辉;洪梓健 - 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
- 2016-08-03 - 2019-09-20 - H01L33/46
- 一种发光二极管，包括发光二极管芯片、围设于所述发光二极管芯片周围的第一反射层、依次覆盖于所述发光二极管芯片之上的第一透光层、第二透光层，所述发光二极管芯片具有一主主出光面及位于所述主主出光面相对一侧的第一电极和第二电极，还包括位于所述第一反射层和第一透光层之间且围设于所述发光二极管芯片之间的第二反射层，所述第二反射层的反射率小于所述第一反射层的反射率，所述第一电极和第二电极的底面外露于所述第一反射层的底面。
- 一种高亮度侧镀倒装LED芯片-201822269975.0
- 旷明胜;徐亮;庄家铭 - 佛山市国星半导体技术有限公司
- 2018-12-29 - 2019-09-20 - H01L33/46
- 本实用新型公开了一种高亮度侧镀倒装LED芯片，包括衬底、发光结构、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第二绝缘层和侧镀金属层，所述侧镀金属层覆盖在衬底和第二绝缘层的侧壁。本实用新型在衬底和发光结构的侧壁形成一层侧镀金属层，将芯片侧面发出的光线进行反射，使更多的光线从芯片的轴向发出，从而增加芯片的轴向出光量，防止芯片“漏蓝”，提高芯片的亮度，此外，还可以减少芯片的发光角度，提高光色纯度。
- 发光二极管-201610089111.3
- 黄逸儒;庄东霖;兰彦廷;许圣宗;沈志铭;黄靖恩;赖腾宪;麦宏全;黄冠杰;丁绍滢 - 新世纪光电股份有限公司
- 2016-02-17 - 2019-09-17 - H01L33/46
- 本发明提供一种发光二极管，包括第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第一电极、第二电极以及布拉格反射结构。发光层用以发出一光束，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间，其中光束在发光波长范围具有一峰值波长。第一型半导体层、发光层与第二型半导体层皆位于布拉格反射结构的相同一侧，且布拉格反射结构在至少涵盖0.8X nm至1.8X nm一反射波长范围的反射率为95％以上，且X为发光波长范围的峰值波长。本发明提供的发光二极管，布拉格反射结构针对不同波长范围都具有良好的反射率，可提高发光二极管的发光效率。
- 一种LED芯片以及LED显示屏-201920173136.0
- 林聪辉;纪志源 - 晶宇光电(厦门)有限公司
- 2019-01-31 - 2019-08-27 - H01L33/46
- 本实用新型提供一种LED芯片以及具有该LED芯片的LED显示屏，LED芯片包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，限制了光的传播方向，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出，使得光只从侧面逸出，取消了正面集中出光的方式，该LED芯片应用于LED显示屏，有效解决了LED显示屏的光斑问题。
- 微型发光二极管装置-201610366113.2
- 陈立宜;林师勤;李欣薇;张珮瑜 - 美科米尚技术有限公司
- 2016-05-27 - 2019-08-20 - H01L33/46
- 本发明公开了一种微型发光二极管装置，其包含接收基板以及微型发光二极管。微型发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制层、至少一个反射层以及至少一个第一电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。电流控制层与第一型半导体层以及第二型半导体层其中一个连接，且具有至少一个开口。至少一个反射层电性耦接第一型半导体层。至少一个第一电极设置于反射层的表面上，其中该表面朝向接收基板。第一电极与接收基板形成粘着接合系统。借此，本发明的微型发光二极管装置，反射层具有高于接合层所形成的粘着接合系统的接合温度的熔点。经由适当的条件例如温度与压力，可将微型发光二极管接合至基板的特定区域。
- 具有复合式背镀反射层的发光二极管-201711322148.7
- 潘群峰;谢颖;王强;何玉华 - 集美大学
- 2017-12-12 - 2019-08-16 - H01L33/46
- 本发明涉及一种具有复合式背镀反射层的发光二极管。通过在蓝宝石衬底与银反射层之间插入一碳化硅层，以解决二者无法黏附之问题并形成含银反射镜结构。碳化硅与银互相黏附性佳，且相较于氮化镓，不需要通过高温退火合金化增强黏附，同时碳化硅对于可见光波段也具极高透明度，所以采用碳化硅层作为黏附层可以很好的构造具备高反射率的含银背镀反射镜结构。
- 提升发光二极管亮度的结构-201510147216.5
- 颜慧 - 山西南烨立碁光电有限公司
- 2015-03-31 - 2019-08-02 - H01L33/46
- 本发明属于二极管技术领域，旨在提供一种提升发光二极管亮度的结构；具体技术方案为：提升发光二极管亮度的结构，包括有源层，有源层的上层设置有第一限制层，第一限制层的上层设置有窗口层，有源层的下层一侧设置有第三反射层、第二反射层和第一反射层，第一反射层的下层设置有第二限制层，第二限制层的下层设置有提高粘合性的缓冲层，缓冲层的下层设置有基板，这种新型的组合式反射层结构可扩展反射波谱的半高宽，更大程度地将有源层的光反射出来，提升了工厂实际生产的稳定性，砷化铝和砷化镓铝两种材料交错的浓度可以扩展电流，提升发光效率。
- 一种倒装LED芯片-201821935636.5
- 张威;戴广超;龙晓阳;王江波 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2018-11-22 - 2019-08-02 - H01L33/46
- 本实用新型公开了一种倒装LED芯片，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、一次N型电极、一次P型电极、二次N型电极、二次P型电极、N型焊盘、P型焊盘、一次绝缘反射层和二次绝缘反射层；一次绝缘反射层设置在P型半导体层上和凹槽内，二次绝缘反射层设置在二次N型电极、二次P型电极、以及二次N型电极和二次P型电极之间的一次绝缘反射层上，二次绝缘反射层和一次绝缘反射层均为分布式布拉格反射器。本实用新型通过将原来采用单层氧化物薄膜形成的绝缘层改为采用DBR形成的绝缘反射层，可提高芯片的发光亮度。
- 发光元件结构-201910110303.1
- 丁绍滢;黄冠杰;黄靖恩;黄逸儒 - 新世纪光电股份有限公司
- 2015-07-14 - 2019-07-26 - H01L33/46
- 本发明提供一种发光元件结构，包括发光元件、封装胶体、透光板以及反射层。其中，发光元件具有彼此相对的上表面与下表面、连接上表面与下表面的侧表面以及位于下表面上且彼此分离的第一接垫与第二接垫。封装胶体至少包覆发光元件的上表面与侧表面，且暴露出发光元件的第一接垫与第二接垫。透光板配置于发光元件的上表面的上方，而封装胶体位于透光板与发光元件之间。反射层直接覆盖于发光元件的侧表面上，其中封装胶体包覆反射层且暴露出反射层的底面。
- 一种LED器件及其制造方法-201810018121.7
- 黎子兰 - 黎子兰
- 2018-01-09 - 2019-07-16 - H01L33/46
- 本发明涉及一种LED器件及其制造方法。该LED器件的制造方法，包括：在外延片上设置P‑电极，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；移除部分空穴传输层和辐射层，并在曝露出的电子传输层上设置N‑电极；部分移除衬底，保留至少部分被移除的空穴传输层和辐射层区域的衬底；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。
- 一种发光二极管-201821892623.4
- 梅震;方斌;蔡家豪;刘加云;汪俊;黄照明;邱智中;蔡吉明 - 泉州三安半导体科技有限公司
- 2018-11-16 - 2019-07-16 - H01L33/46
- 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，包括衬底，以及位于所述衬底上的第一半导体层、第二半导体层、设置于第一半导体层与第二半导体层之间的多量子阱发光层、设置于第一半导体层之上的第一电极，以及设置于第二半导体层上的第二电极，其特征在于：所述第一电极侧壁周围设置有反射层，所述反射层表面设置有粗化结构层。本实用新型在电极的侧壁周围设置反射层级粗化结构层，一方面减少第一电极对光的吸收，提升发光二极管的光取出效率，另一方面在电极周围包覆反射层，可以减少金属迁移，防止掉电极，提升LED器件的稳定性。
- 一种发光二极管及其制作方法-201910375573.5
- 林志伟;陈凯轩;卓祥景;曲晓东;蔡建九 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-05-07 - 2019-07-05 - H01L33/46
- 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管及其制作方法，通过所述多功能层的电流阻挡区、通孔及其排列规律的设置，首先、具有斜侧壁的通孔结合所述金属反射镜使得出光角度明显提高；其次、所述金属反射镜通过所述通孔与第二导电层形成欧姆接触，所述通孔的排列规律：沿所述电流阻挡区边缘向多功能层外围的延伸方向上，所述通孔的底面面积逐渐增大或通孔的布设逐渐密集，能有效引导电流的传导；然后、所述第一电极和所述电流阻挡区在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，使得第一电极的电流效果达到最佳，获得更高的发光效率。
- 发光二极管-201821866101.7
- 杨力勋;蔡琳榕;曾信义;朱立钦;林大铨;廖生地;廖俊杰;张晶晶 - 厦门市三安光电科技有限公司
- 2018-11-13 - 2019-07-05 - H01L33/46
- 本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中，发光二极管包括上部和下部，其中所述上部为半导体叠层，从上至下依次包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述下部依次包含绝缘材料层、粘合层和基板，其特征在于：所述下部具有一超出所述上部边缘的边缘部，所述边缘部从上至下至少包含第一绝缘层、金属材料层和第二绝缘层、粘合层和基板。
- 一种具有光散射结构和ODR的发光二极管-201822178144.2
- 张勇辉;张际;张紫辉;郑羽欣 - 河北工业大学
- 2018-12-25 - 2019-07-02 - H01L33/46
- 本实用新型为一种具有光散射结构和ODR的发光二极管。该二极管通过在全反射镜和半导体中插入一层较厚的低折射率材料，从而使大角度的入射光通过全内反射而非金属反射，且通过散射结构的进一步散射后逃逸出LED。本实用新型可以减少金属反射镜的吸收，反射率增加，从而提高LED的LEE。
- LED芯片的封装结构及其制造方法-201510867973.X
- 任飞 - 讯芯电子科技（中山）有限公司
- 2015-11-30 - 2019-06-28 - H01L33/46
- 本发明公开了一种LED芯片的封装结构及其制造方法，所述LED芯片的封装结构包括沿预定方向依次设置的透明层、荧光层、晶圆层、LED芯片、介质层、金属线路层、钝化层及用于引出所述LED芯片两极的凸块，所述荧光层、晶圆层外侧形成沿预定方向收缩的斜面，所述介质层、金属线路层及钝化层延伸并包覆所述斜面。本发明公开的LED芯片的封装结构及其制造方法旨在减小LED芯片的封装结构的尺寸、简化加工工艺，降低材料成本。
- 牺牲层结构及采用该结构剥离材料层的方法-201710668552.3
- 郭桓邵;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 - 天津三安光电有限公司
- 2017-08-08 - 2019-06-21 - H01L33/46
- 本发明公开了一种剥离材料层的方法，包括步骤：（1）提供基材，其上表面划分为第一区域和第二区域；（2）在所述基材上表面的第一区域形成牺牲层，所述牺牲层呈上宽下窄状；（3）在所述基材的上表面沉积待剥离的材料层，由于所述牺牲层呈上宽下窄状，使得所述材料层覆盖在所述牺牲层的部分与覆盖在所述基材上表面的第二区域的部分断开；（4）蚀刻去除所述牺牲层，从而将位于所述牺牲层表面上的材料层剥离。本发明同时公开了一种用于前述剥离方法的牺牲层结构及一种采用上述剥离方法的发光二极管的制作方法。
- 一种自带反射碗杯的红外LED芯片及制作方法-201910299124.7
- 徐洲;王洪占;彭钰仁;张国庆;陈凯轩;蔡端俊 - 扬州乾照光电有限公司
- 2019-04-15 - 2019-06-14 - H01L33/46
- 本申请提供了一种自带反射碗杯的红外LED芯片及制作方法，该自带反射碗杯的红外LED芯片通过在衬底中第二区域的侧壁和背面依次形成ODR介质层和ODR金属反射层，进而构成反射碗杯，使射向衬底的光线可以被反射，并从LED芯片的上表面或侧壁取出。并且，ODR介质层和ODR金属反射层形成的结构在三维结构中实际为倒置四棱台型，类似于反射碗杯的功能，进而提高LED光取出率，降低能量损失。
- 一种发光二极管芯片及其制备方法-201910185910.4
- 石峰;王洪占;王涛 - 扬州乾照光电有限公司
- 2019-03-12 - 2019-06-11 - H01L33/46
- 本申请实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，其中，该芯片包括：永久衬底，位于所述永久衬底下的P型电极层，依次位于所述永久衬底上的键合层、镜面反射层、P型层、有源层、N型层和N型电极层；所述N型层包括与所述N型电极层接触的欧姆接触层和N型粗化层，所述N型粗化层包括与所述欧姆接触层和所述N型电极层接触的第一接触层和位于所述欧姆接触层之下且暴露于所述N型电极层之外的第一粗化层；所述P型层和所述镜面反射层的接触处包括位于所述N型电极层下方的第二粗化层和位于所述第二粗化层之外的非粗化层。本申请实施例提高了反极性发光二极管的发光效率。
- 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法-201611116350.X
- 尹灵峰;马磊;高艳龙;王江波 - 华灿光电（浙江）有限公司
- 2016-12-07 - 2019-06-11 - H01L33/46
- 本发明公开了一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：在衬底上依次形成外延层和透明导电薄膜，外延层包括依次层叠的缓冲层、N型层、发光层、P型层；在P型层、凹槽的侧壁和部分N型层上形成介质层；在介质层的保护下刻蚀外延层，形成延伸至衬底的划片道；通过划片道对外延层进行腐蚀，使外延层的侧面与外延层的底面的夹角为钝角；去除介质层，在外延层的侧面形成高反射层，高反射层采用反射率高于设定值且与N型层形成欧姆接触的金属材料；在透明导电薄膜上设置P型电极，在N型层上设置N型电极；裂片得到若干相互独立的发光二极管芯片。本发明有利于电子扩展，降低芯片的正向电压，提高发光效率。
- 一种LED芯片结构及其制造方法-201910165928.8
- 袁纪文 - 扬州联华电子科技有限公司
- 2019-03-05 - 2019-06-04 - H01L33/46
- 本发明公开了一种LED芯片结构，所述衬底的上表面与反射层的下表面固定连接，所述反射层的顶部与缓冲层的底部接触，所述缓冲层的上表面与发光层的底部固定连接，所述发光层包括N型层、有源层、P型欧姆接触层和透明导电膜，所述N型层的底部与缓冲层的顶部接触，并且N型层的顶部与有源层的底部固定连接，所述有源层的顶部与P型欧姆接触层的顶部固定连接，涉及LED芯片技术领域。该LED芯片结构及其制造方法，能够很好的保证LED芯片的使用效果，大大的提高了整体的发光量，避免了大量的光量被消耗和吸收，降低了使用者的使用成本，减少了能源的浪费，且整体稳定性强，操作方便，实用性强，便于使用者进行使用。
- 具有高效能反射结构的发光元件-201310039778.9
- 庄耿林;曾俊龙;苏志宗;沈庆兴 - 晶元光电股份有限公司
- 2013-01-31 - 2019-05-31 - H01L33/46
- 本发明公开一种具有高效能反射结构的发光元件，其具有一基板；一发光叠层，位于基板之上；窗户层，位于基板之下且接触基板，窗户层包含绝缘材料；以及布拉格反射结构，位于窗户层之下，包括：一第一布拉格反射结构，位于基板之下，具有一第一数量反射层对；一第二布拉格反射结构，位于第一布拉格反射结构之下，具有一第二数量反射层对，其中第一数量大于第二数量；其中，布拉格反射结构对于波长介于420nm至790nm之光线具有90％以上的反射率。
- 专利分类
