[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510195898.7 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105321998A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 伊牧 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含第一半导体层、绝缘栅结构、第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区。绝缘栅结构形成于沟槽形态中，此沟槽形态嵌入第一半导体层中。第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区形成于第一半导体层中。第二半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。第二半导体区形成于轻掺杂半导体区上，轻掺杂半导体区形成于第一半导体区及绝缘栅结构之间，且轻掺杂半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含：一第一半导体层，具有一第一导电性类型；一绝缘栅结构，形成于一沟槽形态中，该沟槽形态嵌入该第一半导体层中；一第一半导体区，具有一第二导电性类型，并形成于该第一半导体层中；一第二半导体区，具有该第一导电性类型，并形成于该第一半导体层中，其中该第二半导体区接触该第一半导体区及该绝缘栅结构；以及一轻掺杂半导体区，具有该第二导电性类型，并形成于该第一半导体层中，其中该第二半导体区形成于该轻掺杂半导体区上，该轻掺杂半导体区形成于该第一半导体区及该绝缘栅结构之间，该轻掺杂半导体区接触该第一半导体区及该绝缘栅结构。
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