[发明专利]半导体结构和用于处理载体的方法在审
| 申请号： | 201510191202.3 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105023946A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | D·A·楚玛科夫;E·兰德格拉夫;C·达尔;S·罗腾霍伊瑟尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体结构和用于处理载体的方法。根据各种实施例，半导体结构可以包括：第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；设置在第一源极/漏极区域与第二源极/漏极区域之间的主体区域，主体区域包括芯部区域和至少部分地围绕芯部区域的至少一个边缘区域；紧邻主体区域并且被配置成限制在主体区域的宽度方向上经过主体区域的电流流动的电介质区域，其中至少一个边缘区域被布置在芯部区域与电介质区域之间；和被配置成控制主体区域的栅极结构；其中栅极结构被配置成提供用于主体区域的芯部区域的第一阈值电压和用于主体区域的至少一个边缘区域的第二阈值电压，其中第一阈值电压小于或等于第二阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 用于 处理 载体 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；主体区域，设置在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间，所述主体区域包括芯部区域和至少部分地围绕所述芯部区域的至少一个边缘区域；电介质区域，紧邻所述主体区域并且被配置成限制在所述主体区域的宽度方向上经过所述主体区域的电流流动，其中所述至少一个边缘区域被布置在所述芯部区域与所述电介质区域之间；和栅极结构，被配置成控制所述主体区域；其中所述栅极结构被配置成提供用于所述主体区域的所述芯部区域的第一阈值电压和用于所述主体区域的所述至少一个边缘区域的第二阈值电压，其中所述第一阈值电压小于或等于所述第二阈值电压。
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