[发明专利]半导体结构和用于处理载体的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；

主体区域，设置在所述第一源极/漏极区域与所述第二源极/漏极区域之间，所述主体区域包括芯部区域和至少部分地围绕所述芯部区域的至少一个边缘区域；

电介质区域，紧邻所述主体区域并且被配置成限制在所述主体区域的宽度方向上经过所述主体区域的电流流动，其中所述至少一个边缘区域被布置在所述芯部区域与所述电介质区域之间；和

栅极结构，被配置成控制所述主体区域；

其中所述栅极结构被配置成提供用于所述主体区域的所述芯部区域的第一阈值电压和用于所述主体区域的所述至少一个边缘区域的第二阈值电压，其中所述第一阈值电压小于或等于所述第二阈值电压。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中所述栅极结构包括栅极区域和设置在所述栅极区域与所述主体区域之间的电介质层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，

其中所述栅极区域包括至少与所述主体区域的所述芯部区域重叠的第一部分和至少与所述主体区域的所述至少一个边缘区域重叠的紧邻所述第一部分的至少一个第二部分。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，

其中所述栅极区域包括半导体材料。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，

其中所述栅极区域通过一种或多种掺杂剂被掺杂；

其中所述栅极区域的所述第一部分在掺杂类型或掺杂浓度中的至少一个上不同于所述栅极区域的所述至少一个第二部分。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，

其中所述栅极区域的所述第一部分具有第一厚度并且其中所述栅极区域的所述至少一个第二部分具有第二厚度，其中所述第一厚度大于所述第二厚度。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，进一步包括：

导电层，至少部分地覆盖所述栅极区域并且至少部分地电接触所述栅极区域。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，

其中所述栅极区域的所述第一部分由所述导电层覆盖并且其中所述栅极区域的所述至少一个第二部分未由所述导电层覆盖。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，

其中所述栅极区域的所述第一部分包括硅并且其中所述导电层包括电接触所述栅极区域的所述第一部分的金属硅化物。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，

其中所述栅极区域的所述至少一个第二部分由与所述栅极区域的所述至少一个第二部分物理接触的氧化物层覆盖。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中所述电介质区域包括至少部分地用电介质材料填充的沟槽结构。

12.根据权利要求2所述的半导体结构，

其中所述栅极区域沿着所述主体区域的所述宽度方向与所述主体区域部分重叠地延伸，其中所述栅极区域的沿着所述宽度方向的延伸小于所述主体区域的沿着所述宽度方向的延伸。

13.根据权利要求2所述的半导体结构，

其中所述栅极区域沿着所述主体区域的所述宽度方向与所述主体区域重叠并且与所述电介质区域部分重叠地延伸，其中所述栅极区域的沿着所述宽度方向的延伸大于所述主体区域的沿着所述宽度方向的延伸。

14.根据权利要求1所述的半导体结构，

其中所述主体区域的沿着所述宽度方向的延伸小于大约50μm，其中所述主体区域的沿着所述宽度方向的延伸小于大约10μm。

15.根据权利要求1所述的半导体结构，

所述至少一个边缘的沿着所述宽度方向的延伸大于所述主体区域的沿着所述宽度方向的延伸的1％。

16.根据权利要求2所述的半导体结构，

其中设置在所述栅极区域与所述主体区域之间的所述电介质层包括与所述主体区域的所述芯部区域重叠的具有第一厚度的第一部分和与所述主体区域的所述至少一个边缘区域重叠的具有第二厚度的紧邻所述电介质层的所述第一部分的至少一个第二部分，其中所述第一厚度小于所述第二厚度。