[发明专利]半导体布置及其形成有效
| 申请号： | 201510160249.3 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105023828B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 陈焕能;金俊德;陈硕懋;周淳朴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体布置及其形成方法。半导体布置包括包围第一传输线的第一介电层和包围第一介电层的磁性层。磁性层增大了传输线的电感。相比于不具有磁性层的半导体布置，具有包围第一传输线的磁性层半导体布置具有增大的阻抗，从而提升了流经传输线的电流，而没有增大电阻。增大的电阻需要增大的功率，从而导致半导体布置寿命短于没有增大的电阻的半导体布置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 布置 及其 形成 | ||
【主权项】：
1.一种半导体布置，包括：第一传输线，被第一介电层包围；磁性层，包围所述第一介电层，相对于所述第一传输线和所述第一介电层中的至少一个来确定所述磁性层的尺寸，以使所述第一传输线的电感增大了大于1的系数；以及第二介电层，连续包围所述磁性层并且与所述磁性层直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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