[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201510147871.0 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105428340A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 细美英一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/498;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式，提供一种具有第1半导体芯片和第2半导体芯片的半导体装置。第2半导体芯片搭载在第1半导体芯片的背面。第1半导体芯片具有基板、背面布线、多层布线、贯通电极和表面电极。背面布线设在基板的背面上。背面布线电连接着第2半导体芯片的端子。多层布线设在基板的表面上。贯通电极经由基板将背面布线及多层布线电连接。表面电极设在多层布线之上。表面电极电连接在多层布线上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1半导体芯片；以及第2半导体芯片，搭载在上述第1半导体芯片的背面；上述第1半导体芯片具有：基板；背面布线，设在上述基板的背面，电连接着上述第2半导体芯片的端子；多层布线，设在上述基板的表面；贯通电极，经由上述基板将上述背面布线及上述多层布线电连接；以及表面电极，设在上述多层布线之上，电连接于上述多层布线。
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