[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201510096632.7 申请日: 2015-03-04
公开(公告)号: CN105990329A 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 松浦永悟;竹本康男 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/18 分类号: H01L25/18;H01L21/98
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法,可实现在衬底上设置有多个半导体芯片的半导体装置的薄型化。根据一实施方式,半导体装置包括衬底,该衬底具有第一面、及与所述第一面为相反侧的第二面。进而,所述装置包括:第一半导体芯片,设置在所述衬底的所述第一面;及第二半导体芯片,设置在所述衬底的所述第二面,且覆盖贯通所述衬底的开口的至少一部分。进而,所述装置包括第三半导体芯片,该第三半导体芯片在所述开口内,经由接着剂而设置在所述第二半导体芯片的所述衬底侧的面。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于包括:衬底,包含第一面、及与所述第一面为相反侧的第二面;第一半导体芯片,设置在所述衬底的所述第一面;第二半导体芯片,设置在所述衬底的所述第二面,且覆盖贯通所述衬底的开口的至少一部分;以及第三半导体芯片,在所述开口内,经由接着剂而设置在所述第二半导体芯片的所述衬底侧的面。
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