[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510092967.1 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105280720A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 松下宪一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可抑制电流及电压的振荡的半导体装置。实施方式的半导体装置包含：半导体衬底，包含第1面、及与第1面对向的第2面；第一p型半导体区域，选择性地设置在第1面侧；第一n型半导体区域，设置在第2面侧；第二n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第一n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第一n型半导体区域低；第三n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第二n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第二n型半导体区域低；第四n型半导体区域，设置在第一n型半导体区域与第二n型半导体区域之间，n型杂质浓度比第二n型半导体区域低，且载流子寿命比第三n型半导体区域长；阳极电极；及阴极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：半导体衬底，包含第1面、及与所述第1面对向的第2面；第一p型半导体区域，选择性地设置在所述半导体衬底的所述第1面侧；第一n型半导体区域，设置在所述半导体衬底的所述第2面侧；第二n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第一n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第一n型半导体区域低；第三n型半导体区域，设置在所述第一p型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，且n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低；第四n型半导体区域，设置在所述第一n型半导体区域与所述第二n型半导体区域之间的所述半导体衬底中，n型杂质浓度比所述第二n型半导体区域低，且载流子寿命比所述第三n型半导体区域长；阳极电极，电连接于所述第一p型半导体区域；及阴极电极，电连接于所述第一n型半导体区域。
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