[发明专利]氮化膜的制作方法及氮化膜的压缩应力控制方法有效
| 申请号： | 201510089810.3 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN104882361B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李庚垠;罗斗贤;张準硕;赵炳哲;柳东浩;朴周焕;金颍俊 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/314;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及利用原子层沉积法而稳定地维持膜质并能够容易调整压缩应力的氮化膜制作方法，执行包括以下四个步骤的单位周期至少一次以上，从而在所述基板上形成具有压缩应力的氮化膜，所述四个步骤，包括第1步骤，将源气体供应到基板上，所述源气体的至少一部分被吸附到所述基板上；第2步骤，将第1净化气体供应到基板上；第3步骤，将包含氮气(N2)的应力调整气体及包含氮气(N2)以外的氮成分(N)的反应气体，以等离子状态同时供应到所述基板上，从而在所述基板上形成单位沉积膜；及第4步骤，将第2净化气体供应到基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 制作方法 压缩 应力 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化膜的制作方法，执行包括以下四个步骤的单位周期至少一次以上，从而在基板上形成具有压缩应力的氮化膜，所述四个步骤，包括：第1步骤，将源气体供应到基板上，所述源气体的至少一部分被吸附到所述基板上；第2步骤，将第1净化气体供应到基板上；第3步骤，将包含氮气的应力调整气体及包含氮气以外的氮成分的反应气体，以等离子状态同时供应到所述基板上，从而在所述基板上形成单位沉积膜；及第4步骤，将第2净化气体供应到基板上；所述氮化膜的所需的压缩应力越大，则加大所述第3步骤中供应到所述基板上的所述氮气的量；其中，所述包含氮气以外的氮成分的反应气体包括氨气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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