[发明专利]氮化膜的制作方法及氮化膜的压缩应力控制方法

权利要求书

1.一种氮化膜的制作方法，执行包括以下四个步骤的单位周期至少一次以上，从而在基板上形成具有压缩应力的氮化膜，

所述四个步骤，包括：

第1步骤，将源气体供应到基板上，所述源气体的至少一部分被吸附到所述基板上；

第2步骤，将第1净化气体供应到基板上；

第3步骤，将包含氮气的应力调整气体及包含氮气以外的氮成分的反应气体，以等离子状态同时供应到所述基板上，从而在所述基板上形成单位沉积膜；及

第4步骤，将第2净化气体供应到基板上；

所述氮化膜的所需的压缩应力越大，则加大所述第3步骤中供应到所述基板上的所述氮气的量；

其中，所述包含氮气以外的氮成分的反应气体包括氨气体。

2.根据权利要求1所述的氮化膜的制作方法，

所述应力调整气体包括非活性气体及氮气的混合气体。

3.根据权利要求2所述的氮化膜的制作方法，

所述第3步骤中所述氮化膜所需的压缩应力越大，则需提高对于供应到所述基板上的所述非活性气体的所述氮气的相对比率。

4.根据权利要求2所述的氮化膜的制作方法，

所述非活性气体包括氦、氖、氩、氪、氙及氡中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的氮化膜的制作方法，

所述等离子通过直流等离子方式或远程等离子方式而形成。

6.根据权利要求1所述的氮化膜的制作方法，

所述第1净化气体或所述第2净化气体在所述第1步骤至所述第4步骤中被持续地供应。

7.根据权利要求1所述的氮化膜的制作方法，

所述第1净化气体及所述第2净化气体中的至少一个为氮气、非活性气体或由氮气及非活性气体形成的混合气体。

8.根据权利要求1所述的氮化膜的制作方法，

所述应力调整气体是与所述第1净化气体及所述第2净化气体中的至少一个属于由同种物质构成的气体。

9.根据权利要求1所述的氮化膜的制作方法，

所述单位周期，还包括：

第5步骤，将第2应力调整气体以等离子状态供应到所述单位沉积膜上；及

第6步骤，将第3净化气体供应到所述基板上。

10.根据权利要求9所述的氮化膜的制作方法，

所述第2应力调整气体包括氮气，或包括非活性气体与氮气的混合气体。

11.根据权利要求9所述的氮化膜的制作方法，

所述第1净化气体、所述第2净化气体或所述第3净化气体在所述第1步骤至所述第6步骤中被持续地供应。

12.根据权利要求9所述的氮化膜的制作方法，

所述第1净化气体、所述第2净化气体及所述第3净化气体中的至少一个为氮气、非活性气体、或由氮气及非活性气体形成的混合气体。

13.根据权利要求9所述的氮化膜的制作方法，

所述第2应力调整气体为与所述第1净化气体、所述第2净化气体及所述第3净化气体中的至少一个属于由同种物质构成的气体。

14.根据权利要求1所述的氮化膜的制作方法，

所述单位周期，包括：

在所述第1步骤之后、所述第2步骤之前，中断所述源气体的供应并比所述第1步骤维持更低的腔室内压力的步骤。

15.根据权利要求14所述的氮化膜的制作方法，

比所述第1步骤维持更低的所述腔室内压力的步骤，通过中断所述源气体的供应并执行所述腔室内的抽吸而呈现。

16.根据权利要求15所述的氮化膜的制作方法，

所述抽吸可在所述单位周期内一直不断地进行。

17.根据权利要求14所述的氮化膜的制作方法，

所述单位周期，包括：

在所述第3步骤之后、所述第4步骤之前，中断所述应力调整气体及所述反应气体的供应并比所述第3步骤维持更低的所述腔室内压力的步骤。

18.根据权利要求17所述的氮化膜的制作方法，

比所述第3步骤维持更低的所述腔室内压力的步骤，通过中断所述应力调整气体及所述反应气体的供应并执行所述腔室内的抽吸而呈现。

19.根据权利要求18所述的氮化膜的制作方法，

所述抽吸可在所述单位周期内一直不断地进行。