[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510087269.2 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104716188B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣;张立伟;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一晶体管，该晶体管包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区；一第一栅极，设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，设置于该漏极区之上。本发明的优点之一在于栅极结构于形成栅极结构的相同制造程序中同时形成，而间隔物与形成如间隔物的相同制造程序中同时形成，因此依据本实施例的静电放电保护装置的制作并不需要额外的制造成本。换句话说，栅极结构的形成完全地相容于既存的制造程序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一晶体管，包括：一源极区、一漏极区及设置于该源极区与该漏极区之间的一沟道区，其中所述漏极区为连续区域；一第一栅极，直接设置于该沟道区之上；以及多个第二栅极，直接设置于该漏极区之上；其中，该漏极区包括一轻度掺杂漏极区与一重度掺杂漏极区，而所述多个第二栅极设置于该轻度掺杂漏极区之上，所述轻度掺杂漏极区从所述第一栅极下方，经由所述多个第二栅极下方连续延伸至所述重度掺杂漏极区，所述重度掺杂漏极区具有一硅化物层设置于其上，并且所述硅化物层不覆盖所述第一栅极和所述多个第二栅极的表面，其中，所述第一栅极包括N型功函金属，所述多个第二栅极包括P型功函金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510087269.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能表
- 下一篇：柔性碳纳米管薄膜场效应晶体管及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
