[发明专利]一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件在审
| 申请号： | 201510086151.8 | 申请日： | 2015-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN104752524A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 毛陆虹;赵帆;郭维廉;谢生;张世林;贺鹏鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件，包括有由下至上依次形成的衬底、缓冲层和发射区电极接触层，所述发射区电极接触层上分别形成有发射区和发射区金属电极，所述发射区上由下至上依次形成有发射区隔离层、第一势垒、第一势阱、子势阱、第二势阱、第二势垒、集电区隔离层、集电区、集电区电极接触层和集电区金属电极。本发明的一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件，采用超窄双阱，可有效提高峰值电流，从而增大输出功率。减小发射极面积，从而减小器件尺寸，减小寄生电容，由此可提高RTD的响应频率。因此，本发明具有响应频率高，输出功率大，制备容易，集成度高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超窄双阱 共振 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种超窄双阱的共振隧穿二极管器件，其特征在于，包括有由下至上依次形成的衬底(1)、缓冲层(2)和发射区电极接触层(3)，所述发射区电极接触层(3)上分别形成有发射区(4)和发射区金属电极(15)，所述发射区(4)上由下至上依次形成有发射区隔离层(5)、第一势垒(6)、第一势阱(7)、子势阱(8)、第二势阱(9)、第二势垒(10)、集电区隔离层(11)、集电区(12)、集电区电极接触层(13)和集电区金属电极(14)。
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