[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201510072582.9 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN105990256A 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 三宅英太郎;北泽秀明 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/10;H01L23/13
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 本实施方式的半导体装置具备半导体芯片,该半导体芯片包括第一端子面以及位于该第一端子面的相反侧的第二端子面。绝缘部包围半导体芯片的侧面的外周。加强部件配置在半导体芯片的侧面与绝缘部的内侧面之间,包围半导体芯片的侧面的外周。第一保持部以及第二保持部从加强部件的上表面以及底面夹持加强部件。第一保持部以及第二保持部具有与加强部件的内壁面对置的突出部。在将加强部件的与所述突出部对应的部分的内径设为Φ1in、将加强部件的外径设为Φ1out、将第一保持部或第二保持部的突出部的外径设为Φ2、将绝缘部的内径设为Φ3的情况下,满足Φ1in-Φ2<Φ3-Φ1out。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,具备:半导体芯片,包括第一端子面以及位于该第一端子面的相反侧的第二端子面;绝缘部,包围所述半导体芯片的侧面的外周;加强部件,配置在所述半导体芯片的侧面与所述绝缘部的内侧面之间,包围所述半导体芯片的侧面的外周;以及第一保持部以及第二保持部,从所述加强部件的上表面以及底面夹持所述加强部件,所述第一保持部以及所述第二保持部具有与所述加强部件的内壁面对置的突出部,在将所述加强部件的与所述突出部对置的部分的内径设为Φ1in、将所述加强部件的外径设为Φ1out、将所述第一保持部或所述第二保持部的所述突出部的外径设为Φ2、将所述绝缘部的内径设为Φ3的情况下,满足如下的数学式1:Φ1in-Φ2<Φ3-Φ1out     数学式1。
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