[发明专利]双掩膜自对准图案化的方法有效
| 申请号： | 201510057277.2 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN105988284B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郝静安;胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F1/76;G03F7/26;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双掩膜自对准图案化的方法，首先以图案化的光刻胶作为第一内核，于第一内核表面覆盖第一RELACS材料层，并进行第一次热交联反应，生成第一热交联反应物层；在去除部分第一热交联反应物层和图案化光刻胶后，以剩余的第一热交联反应物层为第二内核，于剩余的第一热交联反应物层表面覆盖第二RELACS材料层，并进行第二次热交联反应，生成第二热交联反应物层；最后依次去除部分第二热交联反应物层和剩余的第一热交联反应物，以剩余的第二热交联反应物层作为掩膜图案，由此实现了具有高密度线的精细图形。 | ||
| 搜索关键词： | 双掩膜 对准 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双掩膜自对准图案化的方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀的半导体基底；在所述半导体基底表面形成图案化的光刻胶；形成覆盖所述图案化的光刻胶表面的第一RELACS材料层；进行第一次热处理，以使所述第一RELACS材料层与所述图案化的光刻胶接触处发生热交联反应，形成第一热交联反应物层；去除未与所述图案化的光刻胶发生热交联反应的第一RELACS材料层；去除所述图案化的光刻胶顶端的所述第一热交联反应物层，并去除所述图案化的光刻胶；形成覆盖剩余的所述第一热交联反应物层的第二RELACS材料层；进行第二次热处理，以使所述第二RELACS材料层与剩余的所述第一热交联反应物层接触处发生热交联反应，形成第二热交联反应物层；去除没有与剩余的所述第一热交联反应物层发生热交联反应的第二RELACS材料层；去除剩余的所述第一热交联反应物顶端的第二热交联反应物层，并去除剩余的所述第一热交联反应物；以剩余的所述第二热交联反应物层作为掩膜图案；其中，所述第一RELACS材料层采用硅基RELACS材料，所述第二RELACS材料层采用碳基RELACS材料；或者，所述第一RELACS材料层采用碳基RELACS材料，所述第二RELACS材料层采用硅基RELACS材料。
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- 本实用新型提出一种与接触式光刻机配合使用的新的光刻板，利用该光刻板能够精确地计算晶圆平边和光刻图形的偏差角度。该光刻板上对应于晶圆平边的区域设置有标尺图形，所述标尺图形包括若干条平行标尺，其中有两条平行标尺分别作为对准基线和平行对准标示；所述对准基线位于整个标尺图形的中部，是标尺图形中最长的一条平行标尺；所述平行对准标示与对准基线之间的距离用于标示晶圆平边与对准基线可允许的最大偏差。按照上述方案在平边对应的光刻板区域制作标尺图形。光刻时，通过精确地控制晶圆平边与标尺图形中对准基线的距离，既可以实现左右两侧平行对准，也可以通过计算将偏转角度转化成距离，实现精确的平边补偿对准。
- 图形转移菲林和用于PCB板图形转移的菲林工装-201620901545.4
- 张林武 - 宏俐（汕头）电子科技有限公司
- 2016-08-18 - 2017-02-22 - G03F1/42
- 本实用新型公开一种图形转移菲林和用于PCB板图形转移的菲林工装。其中，图形转移菲林包括有效图形区域和边框区域，所述边框区域围绕所述有效图形区域；所述边框区域上设有多个挡点，部分所述挡点的位置开设有定位孔，用以供挂钉的钉头穿过。本实用新型具有提高生产效率和降低误差的效果。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
