[发明专利]808nm平顶光场大功率激光器有效
| 申请号： | 201510055185.0 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN104600562B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 宁吉丰;陈宏泰;车相辉;王彦照;林琳;位永平;王晶 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。 | ||
| 搜索关键词： | 808 nm 平顶 大功率 激光器 | ||
【主权项】：
一种808nm平顶光场大功率激光器，包括衬底（1）以及在衬底（1）上从下至上依次生长的缓冲层（2）、下限制层（3）、下光场作用层（4）、下波导层（5）、量子阱层（6）、上波导层（7）、上光场作用层（8）、上限制层（9）和电极接触层（10），其特征在于所述下光场作用层（4）采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层（8）采用高掺杂的P型AlGaAs材料；所述下光场作用层（4）和上光场作用层（8）的折射率高于所述衬底（1）、所述缓冲层（2）、所述下限制层（3）、所述下波导层（5）、所述量子阱层（6）、所述上波导层（7）、所述上限制层（9）和所述电极接触层（10）的折射率。
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- 本发明提供一种硅基单片集成激光器及其制作方法，包括1）于SOI衬底表面制作图形掩膜；2）刻蚀顶层硅及埋氧化硅层，形成直至衬底硅的限向结构；3）于限向结构内生长Ge外延层；4）在Ge外延层上外延生长III‑V族材料，控制Ge厚度和III‑V族材料的厚度，使得III‑V族材料的发光层与SOI衬底的顶层硅层在高度方向上精确对准。本发明利用SOI材料的底层硅作为衬底，通过Ge作为过渡层，实现III‑V族材料的硅上直接外延工艺，设计Ge的厚度和III‑V族材料的厚度，实现III‑V族材料的发光层与顶层硅的对准，使得III‑V族激光器和硅光子器件在高度方向上精确对准；通过光刻、刻蚀等工艺实现III‑V族激光器与其他硅光子器件在水平方向上高精度对准。另外，本发明可提高激光器的热扩散性能。
- 一种基于半导体界面异质节结构的激光器-201610090495.0
- 苏辉;陈阳华;林中晞;林琦 - 福建中科光芯光电科技有限公司
- 2016-02-18 - 2016-05-11 - H01S5/323
- 本发明提供一种基于半导体界面异质节结构的激光器，包括依次设置的下电极、衬底、下接触、有源层、上接触层、盖层、介质膜层、上电极构成，其特征在于：所述有源层为半导体异质节结构，所述半导体异质节结构，所述异质节结构的一侧为与衬底同质的材料，异质节的另一侧为与衬底晶格常数相同而禁带宽度不同的材料。该激光器输出功率高，制备工艺稳定,在激光测距、激光制导、相干通信、大气研究、医疗器械、光学图像处理、激光打印机等高科技领域有着独具特色的应用前景。
- 激光二极管器件-201520096855.9
- 迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 - 天空激光二极管有限公司
- 2015-02-10 - 2015-11-18 - H01S5/323
- 本实用新型涉及一种激光二极管器件，所述激光二极管器件包括：载体芯片，从载体基板上单一化；一个或多个外延材料晶片，从基板上被转移至所述载体基板；所述外延材料包括n型包覆层区域、包括与所述n型包覆层区域重叠的至少一个有源层的有源区以及与所述有源层区域重叠的p型包覆层区域；以及一个或多个激光二极管带区域，形成在所述外延材料晶片中。
- 一种三波长镓氮基半导体激光芯片结构-201410763909.2
- 尧舜;吕朝蕙;王智勇;邱运涛;雷宇鑫;贾冠男;高祥宇 - 北京工业大学
- 2014-12-11 - 2015-03-04 - H01S5/323
- 本发明的三波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射三种波长激光。本发明的三波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长一层外延层后，再累积生长两层同结构不同组分的外延层，然后通过光刻、腐蚀等方法，使一个芯片同时具有三个不同组分的有源区，成为可以同时发射出三种不同波长光的激光器，并且三种波长光的电极相互独立，可单独调节电流大小。本发明使以蓝宝石为基底的激光器的应用范围更宽、更广、更灵活。
- 一种四波长镓氮基半导体激光芯片结构-201410759469.3
- 尧舜;高祥宇;王智勇;邱运涛;雷宇鑫;贾冠男;吕朝蕙 - 北京工业大学
- 2014-12-11 - 2015-02-25 - H01S5/323
- 本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构，属于激光技术应用领域，其与传统的只能发射单一波长激光的芯片结构相比，能够同时发射四种波长激光。本发明的四波长镓氮基半导体激光芯片结构采用重复生长外延层的方法，在蓝宝石基底材料上生长一层外延层后，再累积生长三层同结构不同组分的外延层，然后通过光刻、腐蚀等方法，使一个芯片同时具有四个不同组分的有源区，成为可以同时发射出四种不同波长光的激光器，并且四种波长光的电极相互独立，可单独调节电流大小。本发明使以蓝宝石为基底的激光器的应用范围更宽、更广、更灵活。
- 一种白光半导体激光器-201410759468.9
- 尧舜;高祥宇;王智勇;邱运涛;贾冠男;吕朝蕙;雷宇鑫 - 北京工业大学
- 2014-12-11 - 2015-02-25 - H01S5/323
- 本发明提供一种白光半导体激光器，其包括：蓝宝石衬底、缓冲层、三个外延生长层、波长合束器；所述蓝宝石衬底为基板，依次覆上所述缓冲层和所述三个外延生长层；所述三个外延生长层作为有源区，激射出的三种波长的光；所述波长合束器将所述三种波长的光合束形成白光。本发明可以同时发射出三种不同波长光的激光器，在此基础上可通过波长合束的技术将三种不同波长的光束进行合束，使以蓝宝石为基底的白光半导体激光器的应用范围更广泛。
- 一种增强P型接触层半导体激光器-201320830608.8
- 不公告发明人 - 渭南高新区晨星专利技术咨询有限公司
- 2013-12-15 - 2014-06-25 - H01S5/323
- 一种增强P型接触层半导体激光器，其特征在于：所述半导体激光器顺序地包括以下层级：蓝宝石衬底；厚度为40-55纳米的低温GaN缓冲层；厚度为1-2微米的N型接触层；厚度为80-90纳米的N型光波导层；厚度为4-5纳米的有源GaInN层；厚度为22-25纳米的P型AlGaN电子阻挡层；厚度为80-90纳米的P型光波导层；厚度大于500纳米的包覆层；第一P型GaN层，第二P型GaN层，其中所述第一和第二P型GaN层的总厚度为300-450纳米，并且所述第二P型GaN层具有低于所述第一P型GaN层的N掺杂浓度以及大于所述第一P型GaN层的厚度。该半导体激光器发射出的激光远场具有更小发散角。
- 专利分类
- 一种海洋探测用395nm532nm636nm790nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用435nm533nm661nm870nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用500nm533nm695nm1000nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用510nm533nm700nm1020nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用485nm533nm687nm970nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用520nm515nm689nm1040nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用552nm515nm702nm1104nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用604nm515nm722nm1208nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用600nm515nm720nm1200nm1030nm七波长激光器
- 一种海洋探测用612nm515nm725nm1224nm1030nm七波长激光器
