[发明专利]射频结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201510052293.2 | 申请日： | 2015-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN104617082A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种射频结构及其形成方法。该方法包括：提供前端结构，包括衬底，形成于所述衬底上的埋氧化层、形成于所述埋氧化层上的有源区和浅沟槽隔离，以及形成于所述有源区和浅沟槽隔离上的层间介质层；在所述前端结构上涂敷光阻并进行图案化；以图案化的光阻为掩膜，进行刻蚀形成第一通孔，所述第一通孔延伸至衬底中；通过所述第一通孔在衬底中引入损伤；在所述第一通孔中形成填充层；在所述层间介质层上形成金属层。本发明在所述衬底中引入有损伤，从而破坏衬底的原有结构，以此提高了抗串扰能力；并且该方法与CMOS工艺能够结合，也降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种射频结构的形成方法，包括：提供前端结构，包括衬底，形成于所述衬底上的埋氧化层、形成于所述埋氧化层上的有源区和浅沟槽隔离，以及形成于所述有源区和浅沟槽隔离上的层间介质层；在所述前端结构上涂敷光阻并进行图案化；以图案化的光阻为掩膜，进行刻蚀形成第一通孔，所述第一通孔延伸至衬底中；通过所述第一通孔在衬底中引入损伤；在所述第一通孔中形成填充层；在所述层间介质层上形成金属层。
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