[发明专利]键合方法以及键合结构

权利要求书

1.一种键合方法，其特征在于，包括：

提供待键合的第一基板以及第二基板，所述第一基板以及第二基板分别具有应力；所述第一基板以及第二基板分别包括键合面以及相对于所述键合面的非键合面；

在所述第一基板和/或第二基板的非键合面形成带有应力的材料层，并使所述材料层的应力与其对应的第一基板或第二基板的应力类型相反；

在形成所述材料层之后，将所述第一基板和第二基板各自的键合面相对地设置，以将所述第一基板和第二基板相互键合。

2.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，形成材料层的步骤包括：形成单层结构或者多层结构的材料层。

3.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，形成材料层的步骤包括：采用旋涂、喷涂、物理气相沉积或者化学气相沉积的方式形成所述材料层。

4.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，形成环氧树脂、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属、金属氧化物、聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物或者丙烯酸酯材料的材料层。

5.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，提供第一基板以及第二基板的步骤之后，形成材料层的步骤之前，所述键合方法还包括：获得第一基板以及第二基板的翘曲度；

形成材料层的步骤包括：根据所述翘曲度确定所述材料层的应力类型，并通过所述材料层使对应的第一基板或第二基板的翘曲度减小甚至降低为零。

6.如权利要求5所述的键合方法，其特征在于，获得第一基板以及第二基板的翘曲度的步骤之后，所述键合方法还包括：

设定一翘曲阈值，并将所述第一基板和第二基板的翘曲度分别与所述翘曲阈值相比较；

形成材料层的步骤包括：在翘曲度大于所述翘曲阈值的第一基板或第二基板上形成所述材料层。

7.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，形成厚度范围在0.1～20微米的材料层。

8.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，形成材料层的步骤之后，将第一基板和第二基板相互键合的步骤之前，所述键合方法还包括：

提供一夹持设备，以将所述第一基板和第二基板固定在所述夹持设备上，所述第一基板的键合面与所述第二基板的键合面相对；

在所述第一基板的键合面与所述第二基板的键合面之间设置垫片；

将第一基板和第二基板相互键合的步骤包括：

去除所述垫片；

将所述第一基板和第二基板键合。

9.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，将第一基板以及第二基板键合的步骤之后，所述键合方法还包括：

采用化学机械研磨的方式将所述材料层去除。

10.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述第一基板以及第二基板为硅晶圆、氮化硅晶圆、锗或硅锗化合物晶圆、砷化镓晶圆、硅锗化合物晶圆、玻璃基板或者树脂基板。

11.一种键合结构，其特征在于，包括：

相互键合的第一基板以及第二基板，所述第一基板以及第二基板分别具有应力；所述第一基板以及第二基板分别包括键合面以及相对于所述键合面的非键合面，所述第一基板与第二基板通过各自的键合面相互键合；

形成于第一基板和/或第二基板的非键合面的具有应力的材料层，所述材料层的应力与其对应的第一基板或第二基板的应力类型相反。

12.如权利要求11所述的键合结构，其特征在于，所述材料层为单层结构或者多层结构。

13.如权利要求11所述的键合结构，其特征在于，所述材料层的材料为环氧树脂、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属、金属氧化物、聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物或者丙烯酸酯。

14.如权利要求11所述的键合结构，其特征在于，所述材料层的厚度范围为0.1～20微米。