[发明专利]一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510039672.8 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104576759A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王漪;周晓梁;丛瑛瑛;赵飞龙;董俊辰;韩德栋;张盛东;刘晓彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明核心是采用了叠层结构源电极和漏电极，电极的下层为金属氧化物半导体薄膜，电极的上层为导电薄膜。叠层源电极和漏电极的下层金属氧化物薄膜采用与沟道有源层相同或不同的材料，其电导率小于有源层金属氧化物薄膜。两层金属氧化物薄膜由射频磁控溅射方法形成。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率,关态电流小，大开关电流比等优点，且与传统结构器件相比工艺复杂度未提高，制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，包括栅电极、栅介质、有源区、源电极和漏电极，所述栅电极位于衬底之上，栅介质位于栅电极之上，有源区位于栅介质之上，源电极和漏电极分别位于有源区之上，其特征在于，所述有源区为金属氧化物半导体薄膜，所述源电极和漏电极分别由上、下两层薄膜组成叠层结构，其中源电极或漏电极的下层薄膜为金属氧化物薄膜，源电极或漏电极的上层薄膜为导电薄膜，且有源区金属氧化物半导体薄膜电导率或载流子浓度高于源电极或漏电极的下层金属氧化物半导体薄膜。
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