[发明专利]一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，包括栅电极、栅介质、有源区、源电极和漏电极，所述栅电极位于衬底之上，栅介质位于栅电极之上，有源区位于栅介质之上，源电极和漏电极分别位于有源区之上，其特征在于，所述有源区为金属氧化物半导体薄膜，所述源电极和漏电极分别由上、下两层薄膜组成叠层结构，其中源电极或漏电极的下层薄膜为金属氧化物薄膜，源电极或漏电极的上层薄膜为导电薄膜，且有源区金属氧化物半导体薄膜电导率或载流子浓度高于源电极或漏电极的下层金属氧化物半导体薄膜。

2.如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，栅电极为Al、Ti、Cr非透明金属中的一种或ITO、AZO、InO透明导电薄膜中的一种。

3.如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，栅介质材料为二氧化硅、氮化硅以及高介电常数绝缘材料中的一种或者多种的组合。

4.如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，有源区金属氧化物半导体薄膜厚度为10～40纳米，材料为氧化铟镓锌或氧化锌及其掺杂体系包括锡、铟、镓、铝等III或IV族元素中的一种或者几种组合。

5.如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，源电极或漏电极的下层薄膜为与有源区相同或不同材料金属氧化物半导体，厚度大于20纳米；当为同种金属氧化物时，源电极或漏电极的下层薄膜金属氧化物氧含量高于有源区金属氧化物。

6.如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，源电极和漏电极与栅电极之间存在交叠区域。

7.如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，源电极或漏电极的上层导电薄膜为Al、Ti、Cr非透明金属中的一种或ITO、AZO、InO透明导电薄膜中的一种。

8.一种制备如权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的方法，其步骤包括：

1)在玻璃衬底上生长一层导电薄膜，采用刻蚀或剥离工艺形成栅电极；

2)接着生长一层绝缘介质层，刻蚀形成栅介质；

3)然后采用射频磁控溅射技术生长一层金属氧化物薄膜，采用刻蚀或剥离工艺形成有源区；

4)再涂光刻胶、曝光、显影定义源电极和漏电极图形，采用射频磁控溅射技术生长一层金属氧化物薄膜；

5)再次采用射频磁控溅射技术生长一层导电薄膜，采用剥离工艺最终形成源电极和漏电极。