[发明专利]一种硅通孔结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510014276.X | 申请日： | 2015-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105845650B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;刘海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅通孔结构及其制作方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有器件，以及覆盖器件的层间介电层；在层间介电层上形成具有第一开口的第一掩膜层；以第一掩膜层为掩膜对层间介电层进行刻蚀直到暴露半导体衬底的表面，以形成第二开口；回蚀刻第二开口内的层间介电层的侧壁；在第二开口内的层间介电层的侧壁上形成具有开口的第二掩膜层；形成覆盖第二掩膜层内的开口暴露的半导体衬底表面的银层；对银层下方的半导体衬底进行湿法刻蚀，以形成通孔；去除银层和第一掩膜层；形成金属层填充通孔。通过本发明的方法，提高对半导体衬底的刻蚀效率，形成了具有光滑侧壁的通孔，改善了硅通孔结构的RC延迟特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有器件，以及覆盖所述器件的层间介电层；在所述层间介电层上形成具有第一开口的第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜对所述层间介电层进行刻蚀直到暴露所述半导体衬底的表面，以形成第二开口；回蚀刻所述第二开口内的层间介电层的侧壁，以使所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸；在所述第二开口内的层间介电层的侧壁上形成具有开口的第二掩膜层，其中，所述第二掩膜层内的开口对应所述第一掩膜层内的第一开口，并暴露所述半导体衬底的表面；形成覆盖所述第二掩膜层内的开口暴露的所述半导体衬底表面的银层；对所述银层下方的半导体衬底进行湿法刻蚀，以形成通孔；去除所述银层和第一掩膜层；形成金属层填充所述通孔。
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